點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。因此,其PN結的靜電容量小,適用于高頻電路。點接觸型與面結型相比,較少使用于大電流和整流。因為構造簡單,所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言,它是應用...
5、 維持電流IH 在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發信號使其導通,用負觸發信號使其關斷的可控硅等等??煽?..
IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區域。多使用在工業用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照相機的頻閃觀測器、感應加熱(InductionHeating)電飯鍋等領域。根據封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,...
從晶閘管的內部分析工作過程:晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管.當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。中每個晶...
IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于...
2010年,中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業化IGBT芯片,由中國科學院微電子研究所設計研發的15-43A /1200V IGBT系列產品(采用Planar NPT器件結構)在華潤微電子工藝平臺上流片成功,各項參數均達到設計要求,部分性能優于國外...
畫出它的波形(c)及(d),只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,晶閘管導通的時間就早;Ug到來得晚,晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間,就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中,常把交流電的半...
ISO-8820和QC/T420-2004等標準中將它定義為:接于電路中,當電流超過規定值和規定的時間時,使電路斷開的熔斷式保護器件。熔斷器是一個熱能響應器件,熔斷器中的熔片或熔絲是用電阻率較高的易熔合金制成,或用截面積較小的良導體制成。為了保護線束及其它設備...
圖7是雙向觸發二極管與雙向可控硅等元件構成的臺燈調光電路。通過調節電位器R2,可以改變雙向可控硅的導通角,從而改變通過燈泡的電流(平均值)實現連續調光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實現連續調溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下,可控負載功率可達500W,各...
主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX ,SANREX,SANKEN ,SEMIKRON ,EUPEC,IR,JBL等。IT(A...
低壓熔斷器(low voltage fuse)是2020年公布的電力名詞。低壓熔斷器***用于低壓供配電系統和控制系統中,主要用于短路保護,有時也可用于過載保護。熔斷器串聯在電路中,當電路發生短路或嚴重過載時,熔斷器中的熔體將自動熔斷,從而切斷電路,起到保護作...
分斷能力強發生短路故障時,圓孔狹頸處首先被熔斷,電弧被石英砂分隔成許多小段,電弧被很快熄滅。由于石英砂是絕緣的,電弧熄滅后,熔斷器立即變成一個絕緣體,將電路分斷。因而快速熔斷器分斷能力強,可高達50kA。負載設備承受的沖擊能量小電路出現短路故障時,負載設備承受...
(3)以阻值較小的一次測量為準,黑表筆所接的一端為正極,紅表筆所接的一端則為負極。(d)觀察二極管外殼,帶有銀色帶一端為負極。 [7]2. 檢測比較高反向擊穿電壓。對于交流電來說,因為不斷變化,因此最高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。 [7]雙向觸...
3、線路中各級熔斷器熔體額定電流要相應配合,保持前一級熔體額定電流必須大于下一級熔體額定電流;4、熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體,不允許隨意加大熔體或用其他導體代替熔體。熔斷器巡視檢查:1、檢查熔斷器和熔體的額定值與被保護設備是否相配合;2、檢查熔斷器外...
圖1(a)所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N基 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區(包括P+ 和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝...
可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結(J1、J2、J3),從J1結構的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導體器件。結構原件可...
可控硅有多種分類方法。(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調壓單元(二)按引腳和極性分類:可...
點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小,不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓,但它的高頻性能好,適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用 [5]。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大,可以通過較大的電流,也能承受較高的反向電壓,適宜在整流電路...
額定速態平均屯成系列共分為14個,如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志,如表1-6所示。通態平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示...
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。常用可控硅的封...
可控硅有多種分類方法。(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調壓單元(二)按引腳和極性分類:可...
?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構成的功率模塊。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半...
紅外發光二極管1. 判別紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳,通常長引腳為正極,短引腳為負極。因紅外發光二極管呈透明狀,所以管殼內的電極清晰可見,內部電極較寬較大的一個為負極,而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發光二極管的正、反向...
設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;發射極電流相應為Ia和Ik;電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或...
自復熔斷器的特點是分斷電流大,可以分斷200千安交流(有效值),甚至更大的電流。這種熔斷器具有非常***的限流作用,當瞬時電流達到接近165千安時即能被迅速限流。自復熔斷器的結構主要由電流端子(又叫電極)、云母玻璃(填充劑)、絕緣管、熔體、活塞、氬氣和外殼等組...
當發生短路故障時,短路電流將金屬鈉加熱氣化成高溫高壓的等離子狀態,使其電阻急劇增加,從而起到限流作用。此時,熔體氣化后產生的高壓推動活塞向右移動,壓縮氬氣。當斷路器切開由自復熔斷器限制了的短路電流后,金屬鈉蒸氣溫度下降,壓力也隨之下降,原來受壓的氬氣又凝結成液...
插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。螺旋式熔斷器:熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓...
IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區域。多使用在工業用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照相機的頻閃觀測器、感應加熱(InductionHeating)電飯鍋等領域。根據封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,...
紅外發光二極管1. 判別紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳,通常長引腳為正極,短引腳為負極。因紅外發光二極管呈透明狀,所以管殼內的電極清晰可見,內部電極較寬較大的一個為負極,而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發光二極管的正、反向...
“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎上發展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅,而且*需一個觸發電路,是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個字母)交流半導體開...