確定IGBT 的門(mén)極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō),**重要的參數(shù)是門(mén)極電荷QG(門(mén)極電壓差時(shí)的IGBT 門(mén)極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù),那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出:門(mén)極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...
圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺(tái)燈調(diào)光電路。通過(guò)調(diào)節(jié)電位器R2,可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角,從而改變通過(guò)燈泡的電流(平均值)實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下,可控負(fù)載功率可達(dá)500W,各...
大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好,整機(jī)的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT...
它們?cè)诜聪螂妷鹤饔孟聟⒓悠七\(yùn)動(dòng),使反向電流明顯變大,光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。這種特性稱(chēng)為“光電導(dǎo)”。光敏二極管在一般照度的光線(xiàn)照射下,所產(chǎn)生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負(fù)載,負(fù)載上就獲得了電信號(hào),而且這個(gè)電信號(hào)隨著光的變化而相應(yīng)變化。光敏二極管是...
觸發(fā)二極管又稱(chēng)雙向觸發(fā)二極管(DIAC)屬三層結(jié)構(gòu),具有對(duì)稱(chēng)性的二端半導(dǎo)體器件。常用來(lái)觸發(fā)雙向可控硅 ,在電路中作過(guò)壓保護(hù)等用途。圖1是它的構(gòu)造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號(hào)及等效電路,可等效于基極開(kāi)路、發(fā)射極與集電極對(duì)稱(chēng)的NPN型晶體管。因此完全可用二只N...
圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺(tái)燈調(diào)光電路。通過(guò)調(diào)節(jié)電位器R2,可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角,從而改變通過(guò)燈泡的電流(平均值)實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下,可控負(fù)載功率可達(dá)500W,各...
大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(以硅單晶為基本...
導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小,使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門(mén)限值時(shí),溝道被禁止,沒(méi)有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下,如果MOSFET電流在開(kāi)關(guān)階段迅速下降,集電極電流則逐漸降低,這是因?yàn)閾Q向開(kāi)始后,在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子(少子)...
可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(小的觸發(fā)電流)來(lái)控制導(dǎo)通(可控硅中通過(guò)大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道,晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)(a),相當(dāng)于一個(gè)二極管,G為正極、K為負(fù)...
b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。c、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái),接地地面,接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測(cè)量時(shí),將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無(wú)電源時(shí)進(jìn)行安裝。f,焊接g極時(shí),電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵**合適。當(dāng)手工焊...
?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半...
?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半...
觸發(fā)二極管又稱(chēng)雙向觸發(fā)二極管(DIAC)屬三層結(jié)構(gòu),具有對(duì)稱(chēng)性的二端半導(dǎo)體器件。常用來(lái)觸發(fā)雙向可控硅 ,在電路中作過(guò)壓保護(hù)等用途。圖1是它的構(gòu)造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號(hào)及等效電路,可等效于基極開(kāi)路、發(fā)射極與集電極對(duì)稱(chēng)的NPN型晶體管。因此完全可用二只N...
快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過(guò)載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過(guò)載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以...
測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都...
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示...
對(duì)于鍺二極管,開(kāi)啟電壓為0.2V,導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓,當(dāng)電壓值較小時(shí),電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí),電流開(kāi)始急劇增大,稱(chēng)之為反向擊穿,稱(chēng)此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管...
噴射式熔斷器是將熔體裝在由固體產(chǎn)氣材料制成的絕緣管內(nèi)。固體產(chǎn)氣材料可采用電工反白紙板或有機(jī)玻璃材料等。當(dāng)短路電流通過(guò)熔體時(shí),熔體隨即熔斷產(chǎn)生電弧,高溫電弧使固體產(chǎn)氣材料迅速分解產(chǎn)生大量高壓氣體,從而將電離的氣體帶電弧在管子兩端噴出,發(fā)出極大的聲光,并在交流電流...
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱(chēng)“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此頻率,因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。可控硅...
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,是一種大功率電器元件,也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)...
2、保護(hù)單臺(tái)長(zhǎng)期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動(dòng)電流選取,也可按下式選取:IRN ≥ (1.5~2.5)IN式中IRN--熔體額定電流;IN--電動(dòng)機(jī)額定電流。如果電動(dòng)機(jī)頻繁起動(dòng),式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3~3.5,具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺(tái)長(zhǎng)期工作的電...
(二)按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開(kāi)關(guān)(三)按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅...
在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時(shí),晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅...
若U1與U2的電壓值相同,但與U的電壓值不同,則說(shuō)明該雙向觸發(fā)二極管的導(dǎo)通性能對(duì)稱(chēng)性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時(shí),則說(shuō)明該雙向觸發(fā)二極管的導(dǎo)通性不對(duì)稱(chēng)。若U1、U2電壓值均與市電U相同時(shí),則說(shuō)明該雙向觸發(fā)二極管內(nèi)部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0...
在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時(shí),晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅...
至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流,各個(gè)廠家的**含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F(xiàn)=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號(hào)沒(méi)有后綴字母之觸發(fā)電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒(méi)有統(tǒng)一的...
PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門(mén)極電壓。(3)可控硅導(dǎo)通后,當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線(xiàn),2.門(mén)極伏安特性區(qū)。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍...
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱(chēng)“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此頻率,因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。可控硅...
當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變,這個(gè)電壓稱(chēng)為二極管的正向電壓。 [4]當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數(shù)值 ,內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱,特性電流迅速增長(zhǎng),...
(二)按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開(kāi)關(guān)(三)按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅...