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⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P...

一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿...

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極。但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極，...

設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或...

在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來，這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄，其波長(zhǎng)由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)，稱為二極管...

圖1（a）所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝...

（2）限幅電路在電子電路中，常用限幅電路對(duì)各種信號(hào)進(jìn)行處理。它是用來讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分信號(hào)。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用，但有些時(shí)候需要用到**限幅二極管，如保護(hù)儀表時(shí)。 [6]（3）穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管，它是一...

（4）變?nèi)蓦娐吩谧內(nèi)蓦娐分谐Ｓ米內(nèi)荻O管來實(shí)現(xiàn)電路的自動(dòng)頻率控制、調(diào)諧、調(diào)頻以及掃描振蕩等。 [6]工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)過多年來科學(xué)家們不懈努力，半導(dǎo)體二極管發(fā)光的應(yīng)用已逐步得到推廣，發(fā)光二極管廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品的指示燈、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明...

b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。c、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái)，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測(cè)量時(shí)，將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無電源時(shí)進(jìn)行安裝。f,焊接g極時(shí)，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當(dāng)手工焊...

可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)原件可...

熔斷器的選擇主要依據(jù)負(fù)載的保護(hù)特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對(duì)于容量小的電動(dòng)機(jī)和照明支線，常采用熔斷器作為過載及短路保護(hù)，因而希望熔體的熔化系數(shù)適當(dāng)小些。通常選用鉛錫合金熔體的熔斷器。對(duì)于較大容量的電動(dòng)機(jī)和照明干線，則應(yīng)著重考慮短路保護(hù)和分?jǐn)嗄芰?。通?..

它們?cè)诜聪螂妷鹤饔孟聟⒓悠七\(yùn)動(dòng)，使反向電流明顯變大，光的強(qiáng)度越大，反向電流也越大。這種特性稱為“光電導(dǎo)”。光敏二極管在一般照度的光線照射下，所產(chǎn)生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負(fù)載，負(fù)載上就獲得了電信號(hào)，而且這個(gè)電信號(hào)隨著光的變化而相應(yīng)變化。光敏二極管是...

低壓熔斷器（low voltage fuse）是2020年公布的電力名詞。低壓熔斷器***用于低壓供配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)中，主要用于短路保護(hù)，有時(shí)也可用于過載保護(hù)。熔斷器串聯(lián)在電路中，當(dāng)電路發(fā)生短路或嚴(yán)重過載時(shí)，熔斷器中的熔體將自動(dòng)熔斷，從而切斷電路，起到保護(hù)作...

面接觸型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及低頻電路中。面接觸型二極管是二極管中的一種。二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、...

這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡(jiǎn)單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Ci...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...

可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)原件可...

瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬用表測(cè)量管子的好壞對(duì)于單要極型的TVS，按照測(cè)量普通二極管的方法，可測(cè)出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。 [8]對(duì)于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管，任意調(diào)換紅、黑表筆測(cè)量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無窮大，否則，說明...

在正常工作情況下，電流可以從引線端子A進(jìn)入，通過瓷心細(xì)孔內(nèi)的金屬鈉，傳導(dǎo)到不銹鋼外殼，并由出線端子B引出。當(dāng)短路電流通過熔斷器時(shí)，短路電流將瓷心細(xì)孔部分的金屬鈉迅速加熱，使之由固體變成高溫高壓狀態(tài)的等離子體蒸氣，電阻率迅速增加，從而對(duì)短路電流起強(qiáng)烈的限流作用，...

全范圍熔斷器，由高分?jǐn)嗄芰θ蹟嗥骱蛧娚涫饺蹟嗥鞔?lián)組成的熔斷器，把熔體分成比一般熔斷器多幾倍的并聯(lián)熔體的結(jié)構(gòu)，分?jǐn)嗟瓦^載電流至額定分?jǐn)嚯娏鞯娜蹟嗥鳌Ｄ芸煽糠謹(jǐn)嗟瓦^載電流至額定分?jǐn)嚯娏鞯娜蹟嗥鳌Ｈ秶蹟嗥饔?種結(jié)構(gòu)形式:①由高分?jǐn)嗄芰θ蹟嗥骱蛧娚涫饺蹟嗥鞔?lián)組...

因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)...

2、熔斷器參數(shù)確定通常熔斷器的額定電流值是基于環(huán)境溫度23±5 ℃時(shí)的值，為了滿足電動(dòng)汽車實(shí)際工況要求，需要對(duì)額定電流值進(jìn)行修正?？稍试S的比較大連續(xù)負(fù)載電流可以用以下公式進(jìn)行計(jì)算Ib=In·Kt·Ke·Kv·Kf·Kb（1）式 中：Ib———可允許的比較大連續(xù)...

Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)...

當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正...

點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關(guān)電路中使用 [5]。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路...

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就...

（3）以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn)，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負(fù)極。(d)觀察二極管外殼，帶有銀色帶一端為負(fù)極。 [7]2. 檢測(cè)比較高反向擊穿電壓。對(duì)于交流電來說，因?yàn)椴粩嘧兓虼俗罡叻聪蚬ぷ麟妷阂簿褪嵌O管承受的交流峰值電壓。 [7]雙向觸...

3、線路中各級(jí)熔斷器熔體額定電流要相應(yīng)配合，保持前一級(jí)熔體額定電流必須大于下一級(jí)熔體額定電流；4、熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體，不允許隨意加大熔體或用其他導(dǎo)體代替熔體。熔斷器巡視檢查：1、檢查熔斷器和熔體的額定值與被保護(hù)設(shè)備是否相配合；2、檢查熔斷器外...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

斷路器是指能夠關(guān)合、承載和開斷正?；芈窏l件下的電流并能在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)關(guān)合、承載和開斷異常回路條件下的電流的開關(guān)裝置。斷路器按其使用范圍分為高壓斷路器與低壓斷路器，高低壓界線劃分比較模糊，一般將3kV以上的稱為高壓電器。斷路器可用來分配電能，不頻繁地啟動(dòng)異步電動(dòng)...