在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管,發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來,這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄,其波長(zhǎng)由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo),稱為二極管...
熔體額定電流不等于熔斷器額定電流,熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇,熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流,與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點(diǎn)和高...
在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時(shí),晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅...
至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流,各個(gè)廠家的**含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F(xiàn)=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號(hào)沒有后綴字母之觸發(fā)電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的...
Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如,常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負(fù)電壓-9V,則U=24V,假設(shè) F=10KHz,Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻...
當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正...
LED燈就是發(fā)光二極管,是采用固體半導(dǎo)體芯片為發(fā)光材料,與傳統(tǒng)燈具相比,LED燈節(jié)能、環(huán)保、顯色性與響應(yīng)速度好。 [3](一)節(jié)能是LED燈**突出的特點(diǎn)在能耗方面,LED燈的能耗是白熾燈的十分之一,是節(jié)能燈的四分之一。這是LED燈的一個(gè)比較大的特點(diǎn)。現(xiàn)在的人...
2、熔斷器參數(shù)確定通常熔斷器的額定電流值是基于環(huán)境溫度23±5 ℃時(shí)的值,為了滿足電動(dòng)汽車實(shí)際工況要求,需要對(duì)額定電流值進(jìn)行修正。可允許的比較大連續(xù)負(fù)載電流可以用以下公式進(jìn)行計(jì)算Ib=In·Kt·Ke·Kv·Kf·Kb(1)式 中:Ib———可允許的比較大連續(xù)...
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于...
斷路器是指能夠關(guān)合、承載和開斷正常回路條件下的電流并能在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)關(guān)合、承載和開斷異常回路條件下的電流的開關(guān)裝置。斷路器按其使用范圍分為高壓斷路器與低壓斷路器,高低壓界線劃分比較模糊,一般將3kV以上的稱為高壓電器。斷路器可用來分配電能,不頻繁地啟動(dòng)異步電動(dòng)...
快速熔斷器的特性反時(shí)限電流保護(hù)特性。熔斷器具有反時(shí)延特性,即過載電流小時(shí),熔斷時(shí)間長(zhǎng);過載電流大時(shí),熔斷時(shí)間短。所以,在一定過載電流和過載時(shí)間范圍內(nèi),熔斷器是不會(huì)熔斷的,可連續(xù)使用。熔斷器有各種不同的熔斷特性曲線,可以適用于不同類型保護(hù)對(duì)象的需要。限流特性由于...
IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR...
可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點(diǎn)是無噪音,壽命長(zhǎng)。可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)...
2、保護(hù)單臺(tái)長(zhǎng)期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動(dòng)電流選取,也可按下式選取:IRN ≥ (1.5~2.5)IN式中IRN--熔體額定電流;IN--電動(dòng)機(jī)額定電流。如果電動(dòng)機(jī)頻繁起動(dòng),式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3~3.5,具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺(tái)長(zhǎng)期工作的電...
1979年,MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...
可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點(diǎn)是無噪音,壽命長(zhǎng)。可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)...
Rlimit =10~100Ω,C=10~470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結(jié)構(gòu),柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)...
電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上...
當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變,這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值 ,內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱,特性電流迅速增長(zhǎng),...
2023年5月,新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開發(fā)了世界上**小的LED。 發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見光,因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...
常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。可控硅的主要參數(shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...
2023年5月,新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開發(fā)了世界上**小的LED。 發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見光,因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...
面接觸型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開關(guān)、脈沖及低頻電路中。面接觸型二極管是二極管中的一種。二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、...
熔斷器的選擇主要依據(jù)負(fù)載的保護(hù)特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對(duì)于容量小的電動(dòng)機(jī)和照明支線,常采用熔斷器作為過載及短路保護(hù),因而希望熔體的熔化系數(shù)適當(dāng)小些。通常選用鉛錫合金熔體的RQA系列熔斷器。對(duì)于較大容量的電動(dòng)機(jī)和照明干線,則應(yīng)著重考慮短路保護(hù)和分?jǐn)?..
快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以...
當(dāng)發(fā)生短路故障時(shí),短路電流將金屬鈉加熱氣化成高溫高壓的等離子狀態(tài),使其電阻急劇增加,從而起到限流作用。此時(shí),熔體氣化后產(chǎn)生的高壓推動(dòng)活塞向右移動(dòng),壓縮氬氣。當(dāng)斷路器切開由自復(fù)熔斷器限制了的短路電流后,金屬鈉蒸氣溫度下降,壓力也隨之下降,原來受壓的氬氣又凝結(jié)成液...
穩(wěn)壓管與一般二極管不一樣,它的反向擊穿是可逆的,只要不超過穩(wěn)壓管電流的允許值,PN結(jié)就不會(huì)過熱損壞,當(dāng)外加反向電壓去除后,穩(wěn)壓管恢復(fù)原性能,所以穩(wěn)壓管具有良好的重復(fù)擊穿特性。 [4]光電二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口,以便...
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。常用可控硅的封...
紅外發(fā)光二極管1. 判別紅外發(fā)光二極管的正、負(fù)電極。紅外發(fā)光二極管有兩個(gè)引腳,通常長(zhǎng)引腳為正極,短引腳為負(fù)極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀,所以管殼內(nèi)的電極清晰可見,內(nèi)部電極較寬較大的一個(gè)為負(fù)極,而較窄且小的一個(gè)為正極。 [8]2. 先測(cè)量紅個(gè)發(fā)光二極管的正、反向...
2、保護(hù)單臺(tái)長(zhǎng)期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動(dòng)電流選取,也可按下式選取:IRN ≥ (1.5~2.5)IN式中IRN--熔體額定電流;IN--電動(dòng)機(jī)額定電流。如果電動(dòng)機(jī)頻繁起動(dòng),式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3~3.5,具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺(tái)長(zhǎng)期工作的電...