非破壞性分析(NDA)以非侵入方式分析樣品內部結構和性能,無需切割、拆解或化學處理,能保留樣品完整性,為后續研究留有余地,在高精度、高成本的半導體領域作用突出。 無損分析,通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像,全程無接觸,無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。...
熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具,但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異,尤其在失效分析等專業領域各有側重。 從工作原理看,光學顯微鏡利用可見光(400-760nm 波長)的反射或透射成像,通過放大樣品的物理形態(如結構、顏色、紋理)呈現細...
非破壞性分析(NDA)以非侵入方式分析樣品內部結構和性能,無需切割、拆解或化學處理,能保留樣品完整性,為后續研究留有余地,在高精度、高成本的半導體領域作用突出。 無損分析,通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像,全程無接觸,無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。...
在失效分析的有損分析中,打開封裝是常見操作,通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞,留下完整的芯片內部電路。但這種方法會破壞內部電路和引線,導致無法進行電動態分析,適用于需觀察內部電路靜態結構的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝,優點是開封過程...
RTTLITP20 熱紅外顯微鏡憑借多元光學物鏡配置,構建從宏觀到納米級的全尺度熱分析能力,靈活適配多樣檢測需求。Micro廣角鏡頭可快速覆蓋大尺寸樣品整體熱分布,如整塊電路板、大型模組的散熱趨勢,高效完成初步篩查;0.13~0.3x變焦鏡頭通過連續倍率調...
非制冷熱紅外顯微鏡基于微測輻射熱計,無需低溫制冷裝置,具有功耗低、維護成本低等特點,適合長時間動態監測。其通過鎖相熱成像等技術優化后,雖靈敏度(通常 0.01-0.1℃)和分辨率(普遍 5-20μm)略遜于制冷型,但性價比更高,。與制冷型對比,非制冷型無需制冷...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優勢二: 與傳統接觸式檢測方法相比,熱紅外顯微鏡的非接觸式檢測優勢更勝——無需與被測設備直接物理接觸,從根本上規避了傳統檢測中因探針壓力、靜電放電等因素對設備造成的損傷風險,這對精密電子元件與高精度設備的...
選擇紅熱外顯微鏡(Thermal EMMI)品牌選擇方面,濱松等國際品牌技術成熟,但設備及維護成本高昂;國產廠商如致晟光電等,則在性價比和本地化服務上具備優勢,例如其 RTTLIT 系統兼顧高精度檢測與多模態分析。預算規劃上,需求(>500 萬元)可優先考慮進...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號的精密儀器,其優勢在于對材料、器件局部溫度分布的高空間分辨率觀測。 然而,在面對微弱熱信號(如納米尺度結構的熱輻射、低功耗器件的散熱特性等)時,傳統熱成像方法易受環境噪聲、背...
致晟光電將熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設備,在維護成本控制上展現出優勢。對于分開的兩臺設備,企業需配備專門人員分別學習兩套系統的維護知識,培訓內容涵蓋不同的機械結構、光學原理、軟件操作,還包括各自的故障診斷邏輯與校...
ThermalEMMI(熱紅外顯微鏡)是一種先進的非破壞性檢測技術,主要用于精細定位電子設備中的熱點區域,這些區域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關。該技術可在不破壞被測對象的前提下,捕捉電子元件在工作狀態下釋放的熱輻射與光信號,為工程師提供關鍵的故障診...
熱紅外顯微鏡和紅外顯微鏡并非同一事物,二者是包含與被包含的關系。紅外顯微鏡是個廣義概念,涵蓋利用0.75-1000微米紅外光進行分析的設備,依波長分近、中、遠紅外等,通過樣品對紅外光的吸收、反射等特性分析化學成分,比如識別材料中的官能團,應用于材料科學、生物學...
芯片制造工藝復雜精密,從設計到量產的每一個環節都可能潛藏缺陷,而失效分析作為測試流程的重要一環,是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術,能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發光信號,定位微米級甚至納米級...
在產品全壽命周期中,失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析,它能定位失效部位,厘清失效機理 —— 無論是材料劣化、結構缺陷還是工藝瑕疵引發的問題,都能被系統拆解。在此基礎上,進一步提出針對性糾正措施,從源頭阻斷失...
熱紅外顯微鏡能高效檢測微尺度半導體電路及MEMS器件的熱問題。在電路檢測方面,這套熱成像顯微鏡可用于電路板失效分析,且配備了電路板檢測用軟件包“模型比較”,能識別缺陷元件;同時還可搭載“缺陷尋找”軟件模塊,專門探測不易發現的短路問題并定位短路點。在MEMS研發...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號的精密儀器,其優勢在于對材料、器件局部溫度分布的高空間分辨率觀測。 然而,在面對微弱熱信號(如納米尺度結構的熱輻射、低功耗器件的散熱特性等)時,傳統熱成像方法易受環境噪聲、背...
半導體材料分為直接帶隙半導體和間接帶隙半導體,而Si是典型的直接帶隙半導體,其禁帶寬度為1.12eV。所以當電子與空穴復合時,電子會彈射出一個光子,該光子的能量為1.12eV,根據波粒二象性原理,該光子的波長為1100nm,屬于紅外光區。通俗的講就是當載流子進...
OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色,其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言,EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發光故障點,而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區域。這兩種技術通常被整合于...
同時,我們誠摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實驗室進行深入交流。在這里,我們的專業技術團隊將為您詳細演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程,從基礎功能到高級應用,一一講解其中的技術原理與操作技巧。針對您在設備選型、使用場景、技術參數等方面的疑問,我們也會給予細致...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI )技術不僅可實現電子設備的故障精細定位,更在性能評估、熱管理優化及可靠性分析等領域展現獨特價值。通過高分辨率熱成像捕捉設備熱點分布圖譜,工程師能深度解析器件熱傳導特性,以此為依據優化散熱結構設計,有效提升設備運行穩定性與...
致晟光電熱紅外顯微鏡的軟件算法優化,信號處理邏輯也是其競爭力之一。 其搭載的自適應降噪算法,能通過多幀信號累積與特征學習,精細識別背景噪聲的頻譜特征 —— 無論是環境溫度波動產生的低頻干擾,還是電子元件的隨機噪聲,都能被針對性濾除,使信噪比提升 2-...
失效分析是指通過系統的檢測、實驗和分析手段,探究產品或器件在設計、生產、使用過程中出現故障、性能異常或失效的根本原因,進而提出改進措施以預防同類問題再次發生的技術過程。它是連接產品問題與解決方案的關鍵環節,**在于精細定位失效根源,而非*關注表面現象。在半...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測物體自身發出的紅外輻射,將其轉化為可視化圖像,進而分析物體表面溫度分布等信息的技術。其原理是溫度高于零度的物體都會向外發射紅外光,熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光,利用光電轉換將其變為溫度圖像。物體內電...
在半導體芯片的精密檢測領域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨特的技術原理與應用優勢,在芯片質量管控與失效分析中發揮著不可替代的作用。二者雖同服務于芯片檢測,但在邏輯與適用場景上的差異,使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術原...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優勢一: 熱紅外顯微鏡(Thermal emmi )能夠檢測到極其微弱的熱輻射和光發射信號,其靈敏度通常可以達到微瓦甚至納瓦級別。同時,它還具有高分辨率的特點,能夠分辨出微小的熱點區域,分辨率可以達到微米...
在國內失效分析設備領域,專注于原廠研發與生產的企業數量相對較少,尤其在熱紅外檢測這類高精度細分領域,具備自主技術積累的原廠更為稀缺。這一現狀既源于技術門檻 —— 需融合光學、紅外探測、信號處理等多學科技術,也受限于市場需求的專業化程度,導致多數企業傾向于代...
這一技術不僅有助于快速定位漏電根源(如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結邊緣缺陷等),更能在芯片量產階段實現潛在漏電問題的早期篩查,為采取針對性修復措施(如優化工藝參數、改進封裝設計)提供依據,從而提升芯片的長期可靠性。例如,某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的E...
熱紅外顯微鏡能高效檢測微尺度半導體電路及MEMS器件的熱問題。在電路檢測方面,這套熱成像顯微鏡可用于電路板失效分析,且配備了電路板檢測用軟件包“模型比較”,能識別缺陷元件;同時還可搭載“缺陷尋找”軟件模塊,專門探測不易發現的短路問題并定位短路點。在MEMS研發...
相較于宏觀熱像儀(空間分辨率約50-100μm),熱紅外顯微鏡通過顯微光學系統將分辨率提升至1-10μm,且支持動態電激勵與鎖相分析,能深入揭示微觀尺度的熱-電耦合失效機理。例如,傳統熱像儀能檢測PCB表面的整體熱分布,而熱紅外顯微鏡可定位某一焊點內部的微裂紋...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優勢二: 與傳統接觸式檢測方法相比,熱紅外顯微鏡的非接觸式檢測優勢更勝——無需與被測設備直接物理接觸,從根本上規避了傳統檢測中因探針壓力、靜電放電等因素對設備造成的損傷風險,這對精密電子元件與高精度設備的...