定位短路故障點短路是造成芯片失效的關鍵誘因之一。 當芯片內部電路發生短路時,短路區域會形成異常電流通路,引發局部溫度驟升,并伴隨特定波長的光發射現象。EMMI(微光顯微鏡)憑借其超高靈敏度,能夠捕捉這些由短路產生的微弱光信號,再通過對光信號的強度分布...
在產品全壽命周期中,失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析,它能定位失效部位,厘清失效機理 —— 無論是材料劣化、結構缺陷還是工藝瑕疵引發的問題,都能被系統拆解。在此基礎上,進一步提出針對性糾正措施,從源頭阻斷失...
在半導體芯片漏電檢測中,微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關鍵支撐。當芯片施加工作偏壓時,設備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區域因焦耳熱效應會釋放微弱的紅外輻射,即便輻射功率為 1 微瓦,高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于,通過...
微光顯微鏡的原理是探測光子發射。它通過高靈敏度的光學系統捕捉芯片內部因電子 - 空穴對(EHP)復合產生的微弱光子(如 P-N 結漏電、熱電子效應等過程中的發光),進而定位失效點。其探測對象是光信號,且多針對可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射...
熱點區域對應高溫部位,可能是發熱源或故障點;等溫線連接溫度相同點,能直觀呈現溫度梯度與熱量傳導規律。目前市面上多數設備受紅外波長及探測器性能限制,普遍存在熱點分散、噪點多的問題,導致發熱區域定位不準,圖像對比度和清晰度下降,影響溫度分布判斷的準確性。 ...
在產品全壽命周期中,失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析,它能定位失效部位,厘清失效機理 —— 無論是材料劣化、結構缺陷還是工藝瑕疵引發的問題,都能被系統拆解。在此基礎上,進一步提出針對性糾正措施,從源頭阻斷失...
InGaAs微光顯微鏡與傳統微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處,均依賴于電子-空穴對復合產生的光子及熱載流子作為探測信號源。然而,InGaAs微光顯微鏡相較于傳統微光顯微鏡,呈現出更高的探測靈敏度,并且其探測波長范圍擴展至900nm至1700nm,而傳統微光...
現市場呈現 “國產崛起與進口分野” 的競爭格局。進口品牌憑借早期技術積累,在市場仍占一定優勢,國產廠商則依托本土化優勢快速突圍,通過優化供應鏈、降低生產成本,在中低端市場形成強競爭力,尤其在工業質檢、電路板失效分析等場景中,憑借高性價比和快速響應的服務搶占份額...
通過大量海量熱圖像數據,催生出更智能的數據分析手段。借助深度學習算法,構建熱圖像識別模型,可快速準確地從復雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中,模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像,定位短路、斷路等故障點,有效縮短分析時間。在數據處理軟件中集...
非破壞性分析(NDA)以非侵入方式分析樣品內部結構和性能,無需切割、拆解或化學處理,能保留樣品完整性,為后續研究留有余地,在高精度、高成本的半導體領域作用突出。 無損分析,通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像,全程無接觸,無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號的精密儀器,其優勢在于對材料、器件局部溫度分布的高空間分辨率觀測。 然而,在面對微弱熱信號(如納米尺度結構的熱輻射、低功耗器件的散熱特性等)時,傳統熱成像方法易受環境噪聲、背...
在微觀熱信號檢測領域,熱發射顯微鏡作為經典失效分析工具,為半導體與材料研究提供了基礎支撐。致晟光電的熱紅外顯微鏡,并非簡單的名稱更迭,而是由技術工程師團隊在傳統熱發射顯微鏡原理上,歷經多代技術創新與功能迭代逐步演變進化而來。這一過程中,團隊針對傳統設備在視野局...
在電子領域,所有器件都會在不同程度上產生熱量。器件散發一定熱量屬于正?,F象,但某些類型的缺陷會增加功耗,進而導致發熱量上升。 在失效分析中,這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內置攝像系統來測量可見光或近紅外光的實用技術...
致晟光電——熱紅外顯微鏡在信號調制技術上的優化升級,以多頻率調制為突破點,構建了更精細的微觀熱信號解析體系。其通過精密算法控制電信號的頻率切換與幅度調節,使不同深度、不同材質的樣品區域產生差異化熱響應 —— 高頻信號可捕捉表層微米級熱點,低頻信號則能穿透材...
漏電是芯片另一種常見的失效模式,其誘因復雜多樣,既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減,也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發。 與短路類似,芯片內部發生漏電時,漏電路徑中會伴隨微弱的光發射現象——這種光信號的強度往往遠低于短路產生的光輻射,對檢測設備的靈敏...
適用場景的分野,進一步凸顯了二者(微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡)的互補價值。在邏輯芯片、存儲芯片的量產檢測中,微光顯微鏡通過對細微電缺陷的篩查,助力提升產品良率,降低批量報廢風險;而在功率器件、車規芯片的可靠性測試中,熱紅外顯微鏡對熱分布的監測,成為驗證產品穩定性...
致晟光電熱紅外顯微鏡的軟件算法優化,信號處理邏輯也是其競爭力之一。 其搭載的自適應降噪算法,能通過多幀信號累積與特征學習,精細識別背景噪聲的頻譜特征 —— 無論是環境溫度波動產生的低頻干擾,還是電子元件的隨機噪聲,都能被針對性濾除,使信噪比提升 2-...
熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具,但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異,尤其在失效分析等專業領域各有側重。 從工作原理看,光學顯微鏡利用可見光(400-760nm 波長)的反射或透射成像,通過放大樣品的物理形態(如結構、顏色、紋理)呈現細...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI )技術不僅可實現電子設備的故障精細定位,更在性能評估、熱管理優化及可靠性分析等領域展現獨特價值。通過高分辨率熱成像捕捉設備熱點分布圖譜,工程師能深度解析器件熱傳導特性,以此為依據優化散熱結構設計,有效提升設備運行穩定性與...
通過大量海量熱圖像數據,催生出更智能的數據分析手段。借助深度學習算法,構建熱圖像識別模型,可快速準確地從復雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中,模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像,定位短路、斷路等故障點,有效縮短分析時間。在數據處理軟件中集...
致晟光電始終以客戶需求為重心,兼顧貨源保障方面。目前,我們有現貨儲備,設備及相關配件一應俱全,能夠快速響應不同行業、不同規??蛻舻牟少徯枨蟆o論是緊急補購的小型訂單,還是批量采購的大型項目,都能憑借充足的貨源實現高效交付,讓您無需為設備短缺而擔憂,確保生產...
失效分析是指通過系統的檢測、實驗和分析手段,探究產品或器件在設計、生產、使用過程中出現故障、性能異常或失效的根本原因,進而提出改進措施以預防同類問題再次發生的技術過程。它是連接產品問題與解決方案的關鍵環節,**在于精細定位失效根源,而非*關注表面現象。在半...
光束誘導電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術常被集成于同一檢測系統,合稱為光發射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。 二者在原理與應用上形成巧妙互補,能夠協同應對集成電路中絕大多數失效模式,大...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)技術,作為半導體失效分析領域的關鍵手段,通過捕捉器件內部產生的熱輻射,實現失效點的精細定位。它憑借對微觀熱信號的高靈敏度探測,成為解析半導體故障的 “火眼金睛”。然而,隨著半導體技術不斷升級,器件正朝著超精細圖案制程與低...
致晟光電始終以客戶需求為重心,兼顧貨源保障方面。目前,我們有現貨儲備,設備及相關配件一應俱全,能夠快速響應不同行業、不同規模客戶的采購需求。無論是緊急補購的小型訂單,還是批量采購的大型項目,都能憑借充足的貨源實現高效交付,讓您無需為設備短缺而擔憂,確保生產...
在半導體芯片的精密檢測領域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨特的技術原理與應用優勢,在芯片質量管控與失效分析中發揮著不可替代的作用。二者雖同服務于芯片檢測,但在邏輯與適用場景上的差異,使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術原...
在選擇 EMMI 微光顯微鏡時,需綜合考量應用需求、預算、技術參數及售后服務等因素。首先明確具體應用場景,例如 LED 檢測可能需要特定波長范圍,而集成電路分析則對分辨率要求更高。預算方面,進口設備系列價格昂貴,但成立年限長、有品牌加持。而選擇國產設備——如致...
微光顯微鏡(EMMI)無法探測到亮點的情況: 一、不會產生亮點的故障有歐姆接觸(OhmicContact)金屬互聯短路(MetalInterconnectShort)表面反型層(SurfaceInversionLayer)硅導電通路(SiliconC...
微光顯微鏡(EMMI)無法探測到亮點的情況: 一、不會產生亮點的故障有歐姆接觸(OhmicContact)金屬互聯短路(MetalInterconnectShort)表面反型層(SurfaceInversionLayer)硅導電通路(SiliconC...
在國內失效分析設備領域,專注于原廠研發與生產的企業數量相對較少,尤其在熱紅外檢測這類高精度細分領域,具備自主技術積累的原廠更為稀缺。這一現狀既源于技術門檻 —— 需融合光學、紅外探測、信號處理等多學科技術,也受限于市場需求的專業化程度,導致多數企業傾向于代...