熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測物體自身發出的紅外輻射,將其轉化為可視化圖像,進而分析物體表面溫度分布等信息的技術。其原理是溫度高于零度的物體都會向外發射紅外光,熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光,利用光電轉換將其變為溫度圖像。物體內電...
失效分析是指通過系統的檢測、實驗和分析手段,探究產品或器件在設計、生產、使用過程中出現故障、性能異常或失效的根本原因,進而提出改進措施以預防同類問題再次發生的技術過程。它是連接產品問題與解決方案的關鍵環節,**在于精細定位失效根源,而非*關注表面現象。在半...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測物體自身發出的紅外輻射,將其轉化為可視化圖像,進而分析物體表面溫度分布等信息的技術。其原理是溫度高于零度的物體都會向外發射紅外光,熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光,利用光電轉換將其變為溫度圖像。物體內電...
可探測到亮點的情況 一、由缺陷導致的亮點結漏電(Junction Leakage)接觸毛刺(Contact Spiking)熱電子效應(Hot Electrons)閂鎖效應(Latch-Up)氧化層漏電(Gate Oxide Defects / Le...
在選擇 EMMI 微光顯微鏡時,需綜合考量應用需求、預算、技術參數及售后服務等因素。首先明確具體應用場景,例如 LED 檢測可能需要特定波長范圍,而集成電路分析則對分辨率要求更高。預算方面,進口設備系列價格昂貴,但成立年限長、有品牌加持。而選擇國產設備——如致...
半導體企業購入微光顯微鏡設備,是提升自身競爭力的關鍵舉措,原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題,直接決定產品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力,可捕捉芯片內部微弱發光信號,高效識別漏...
近年來,非制冷熱紅外顯微鏡價格呈下行趨勢。在技術進步層面,國內紅外焦平面陣列芯片技術不斷突破,像元間距縮小、陣列規模擴大,從早期的 17μm、384×288 發展到如今主流的 12μm 像元,1280 ×1 024、1920 × 1080 陣列規模實現量產,如...
在半導體 MEMS 器件檢測領域,微光顯微鏡憑借其超靈敏的感知能力,展現出不可替代的技術價值。MEMS 器件的結構往往以微米級尺度存在,這些微小部件在運行過程中會產生極其微弱的紅外輻射變化 —— 這種信號強度常低于常規檢測設備的感知閾值,卻能被微光顯微鏡及時捕...
這一技術不僅有助于快速定位漏電根源(如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結邊緣缺陷等),更能在芯片量產階段實現潛在漏電問題的早期篩查,為采取針對性修復措施(如優化工藝參數、改進封裝設計)提供依據,從而提升芯片的長期可靠性。例如,某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的E...
企業用戶何如去采購適合自己的設備? 功能側重的差異,讓它們在芯片檢測中各司其職。微光顯微鏡的 “專長” 是識別電致發光缺陷,對于邏輯芯片、存儲芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細微電性能問題,它能提供的位置信息,是芯片失...
熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一(EMMI、THERMAL、OBIRCH),通過捕捉故障點產生的異常熱輻射,實現精細定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現為局部功耗異常,導致微區溫度升高。顯微熱分布測試系統結合熱點鎖定技術,能夠高效...
致晟光電——熱紅外顯微鏡在信號調制技術上的優化升級,以多頻率調制為突破點,構建了更精細的微觀熱信號解析體系。其通過精密算法控制電信號的頻率切換與幅度調節,使不同深度、不同材質的樣品區域產生差異化熱響應 —— 高頻信號可捕捉表層微米級熱點,低頻信號則能穿透材...
漏電是芯片另一種常見的失效模式,其誘因復雜多樣,既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減,也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發。 與短路類似,芯片內部發生漏電時,漏電路徑中會伴隨微弱的光發射現象——這種光信號的強度往往遠低于短路產生的光輻射,對檢測設備的靈敏...
適用場景的分野,進一步凸顯了二者(微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡)的互補價值。在邏輯芯片、存儲芯片的量產檢測中,微光顯微鏡通過對細微電缺陷的篩查,助力提升產品良率,降低批量報廢風險;而在功率器件、車規芯片的可靠性測試中,熱紅外顯微鏡對熱分布的監測,成為驗證產品穩定性...
致晟光電熱紅外顯微鏡的軟件算法優化,信號處理邏輯也是其競爭力之一。 其搭載的自適應降噪算法,能通過多幀信號累積與特征學習,精細識別背景噪聲的頻譜特征 —— 無論是環境溫度波動產生的低頻干擾,還是電子元件的隨機噪聲,都能被針對性濾除,使信噪比提升 2-...
熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具,但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異,尤其在失效分析等專業領域各有側重。 從工作原理看,光學顯微鏡利用可見光(400-760nm 波長)的反射或透射成像,通過放大樣品的物理形態(如結構、顏色、紋理)呈現細...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI )技術不僅可實現電子設備的故障精細定位,更在性能評估、熱管理優化及可靠性分析等領域展現獨特價值。通過高分辨率熱成像捕捉設備熱點分布圖譜,工程師能深度解析器件熱傳導特性,以此為依據優化散熱結構設計,有效提升設備運行穩定性與...
通過大量海量熱圖像數據,催生出更智能的數據分析手段。借助深度學習算法,構建熱圖像識別模型,可快速準確地從復雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中,模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像,定位短路、斷路等故障點,有效縮短分析時間。在數據處理軟件中集...
致晟光電始終以客戶需求為重心,兼顧貨源保障方面。目前,我們有現貨儲備,設備及相關配件一應俱全,能夠快速響應不同行業、不同規模客戶的采購需求。無論是緊急補購的小型訂單,還是批量采購的大型項目,都能憑借充足的貨源實現高效交付,讓您無需為設備短缺而擔憂,確保生產...
失效分析是指通過系統的檢測、實驗和分析手段,探究產品或器件在設計、生產、使用過程中出現故障、性能異常或失效的根本原因,進而提出改進措施以預防同類問題再次發生的技術過程。它是連接產品問題與解決方案的關鍵環節,**在于精細定位失效根源,而非*關注表面現象。在半...
光束誘導電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術常被集成于同一檢測系統,合稱為光發射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。 二者在原理與應用上形成巧妙互補,能夠協同應對集成電路中絕大多數失效模式,大...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)技術,作為半導體失效分析領域的關鍵手段,通過捕捉器件內部產生的熱輻射,實現失效點的精細定位。它憑借對微觀熱信號的高靈敏度探測,成為解析半導體故障的 “火眼金睛”。然而,隨著半導體技術不斷升級,器件正朝著超精細圖案制程與低...
致晟光電始終以客戶需求為重心,兼顧貨源保障方面。目前,我們有現貨儲備,設備及相關配件一應俱全,能夠快速響應不同行業、不同規模客戶的采購需求。無論是緊急補購的小型訂單,還是批量采購的大型項目,都能憑借充足的貨源實現高效交付,讓您無需為設備短缺而擔憂,確保生產...
在半導體芯片的精密檢測領域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨特的技術原理與應用優勢,在芯片質量管控與失效分析中發揮著不可替代的作用。二者雖同服務于芯片檢測,但在邏輯與適用場景上的差異,使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術原...
在選擇 EMMI 微光顯微鏡時,需綜合考量應用需求、預算、技術參數及售后服務等因素。首先明確具體應用場景,例如 LED 檢測可能需要特定波長范圍,而集成電路分析則對分辨率要求更高。預算方面,進口設備系列價格昂貴,但成立年限長、有品牌加持。而選擇國產設備——如致...
微光顯微鏡(EMMI)無法探測到亮點的情況: 一、不會產生亮點的故障有歐姆接觸(OhmicContact)金屬互聯短路(MetalInterconnectShort)表面反型層(SurfaceInversionLayer)硅導電通路(SiliconC...
微光顯微鏡(EMMI)無法探測到亮點的情況: 一、不會產生亮點的故障有歐姆接觸(OhmicContact)金屬互聯短路(MetalInterconnectShort)表面反型層(SurfaceInversionLayer)硅導電通路(SiliconC...
在國內失效分析設備領域,專注于原廠研發與生產的企業數量相對較少,尤其在熱紅外檢測這類高精度細分領域,具備自主技術積累的原廠更為稀缺。這一現狀既源于技術門檻 —— 需融合光學、紅外探測、信號處理等多學科技術,也受限于市場需求的專業化程度,導致多數企業傾向于代...
相較于宏觀熱像儀(空間分辨率約50-100μm),熱紅外顯微鏡通過顯微光學系統將分辨率提升至1-10μm,且支持動態電激勵與鎖相分析,能深入揭示微觀尺度的熱-電耦合失效機理。例如,傳統熱像儀能檢測PCB表面的整體熱分布,而熱紅外顯微鏡可定位某一焊點內部的微裂紋...
InGaAs微光顯微鏡與傳統微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處,均依賴于電子-空穴對復合產生的光子及熱載流子作為探測信號源。然而,InGaAs微光顯微鏡相較于傳統微光顯微鏡,呈現出更高的探測靈敏度,并且其探測波長范圍擴展至900nm至1700nm,而傳統微光...