主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。反向恢復時間trr：指在規定的負載、正向電流及較大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時IR則變為小于500uA 線性穩壓電源，是指調整管工作在線性狀態下的直流穩壓電源。選深圳市凱軒業電子。大規模場效應管采購

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了二極管單向導電性能的好壞。這個電流值越小，表明二極管質量越好。擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。較高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的較高工作頻率。福建場效應管銷售代理場效應管經凱軒業精心研發，技術成熟且可靠。

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓VB的一半作為VR。（3）較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了二極管單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極管質量越好。（4）擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。（5）正向電壓VF：指二極管正向電壓是電流通過二極管傳導時產生的電壓降。（6）反向恢復時間trr：指在規定的負載、正向電流及較大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。

整流二極管較突出的作用是其能夠防止電流倒灌。當整流二極管加上正電壓時，正電壓起始部分的正電壓很小，不能有效克服PN結內電場的阻擋作用。當整流二極管的正電流幾乎為零時，這一部分被稱為死區，不能引導二極管的正電壓稱為死區電壓。當整流二極管的正電壓大于死區電壓時，有效克服了PN結內的電場，整流二極管的正電流隨著電壓的增加而迅速上升。在正常電流范圍內，整流二極管端電壓幾乎保持不變使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。凱軒業場效應管具備低噪聲特性，輸出信號純凈。

整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流這一個術語，它是通過二極管的單向導通原理來完成工作的，通俗的來說二極管它是正向導通和反向截整流橋就是將整流管封在一個殼內了.分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起.半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,（一）整流橋堆整流橋（D25XB60）堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。1．全橋 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構成的，圖4-65是其電路圖形符號與內部電路凱軒業通過優化設計，提升場效應管工作效率。大規模場效應管采購

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13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區的 N 型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生的。如發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡并半導體 P 型區和 N 型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”表示“峰”；而下標“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。大規模場效應管采購