優普納的多孔砂輪顯微組織調控技術，通過優化砂輪內部孔隙率與分布，大幅提升冷卻液滲透效率，解決傳統砂輪因散熱不足導致的晶圓微裂紋問題。在東京精密HRG200X設備上，6吋SiC晶圓粗磨時，砂輪磨耗比只15%，且加工過程中溫升降低40%，表面粗糙度穩定在Ra≤30nm。該技術不只延長砂輪壽命20%，還可適配高轉速磨床，助力客戶實現高效、低成本的批量生產。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。碳化硅晶圓減薄砂輪，專研強度高的微晶增韌陶瓷結合劑。國產砂輪聯系方式

優普納砂輪以國產價格提供進口品質，單次加工成本降低40%。例如，進口砂輪精磨8吋SiC晶圓磨耗比通常超過250%，而優普納產品只需200%，且Ra≤3nm的精度完全滿足5G、新能源汽車芯片制造需求?？蛻舴答侊@示，國產替代后設備停機更換頻率減少50%，年維護成本節省超百萬元。針對不同設備（如DISCO-DFG8640、東京精密HRG200X），優普納提供基體優化設計砂輪，增強冷卻液流動性，減少振動。支持定制2000#至30000#磨料粒度，適配粗磨、半精磨、精磨全工藝。案例中，6吋SiC晶圓使用30000#砂輪精磨后TTV≤2μm，表面質量達國際先進水平。晶片磨削砂輪評測在8吋SiC線割片的粗磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上達到磨耗比30%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅減薄砂輪，采用自主研發的強度高微晶增韌陶瓷結合劑及多孔砂輪顯微組織調控技術，打破國外技術壟斷，實現國產化替代。相比進口砂輪，產品磨耗比降低至15%-35%（粗磨）及100%-300%（精磨），表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度達2μm以內，適配東京精密、DISCO等國際主流設備。例如，在8吋SiC線割片加工中，砂輪磨耗比只為30%（粗磨）和200%（精磨），效率提升20%以上，明顯降低客戶綜合成本。歡迎您的隨時咨詢~

在半導體加工領域，精度和效率是關鍵。江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，通過其**超細金剛石磨粒**和**超高自銳性**，實現了高磨削效率和低損傷的完美平衡。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業先進水平。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，還為客戶節省了大量時間和成本，助力優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場中占據重要地位。優普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以高精度、低損耗和強適配性，成為推動國產半導體產業技術升級的重要力量。

針對不同磨床特性，優普納提供基體優化設計服務，通過調整砂輪結構（如孔徑、厚度、溝槽）增強與設備的匹配度。例如，為適配DISCO-DFG8640高速減薄機，優普納開發了增強型冷卻流道砂輪，使8吋SiC晶圓加工效率提升25%，磨耗比控制在30%以內?？蛻艨筛鶕陨碓O備型號、晶圓尺寸（4吋/6吋/8吋）及工藝階段（粗磨/精磨）靈活選擇砂輪方案，實現“一機一策”的精確適配。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。優普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以技術創新為主，不斷突破性能瓶頸，為國產半導體材料加工提供有力支持。SiC砂輪性能

在6吋SiC線割片的精磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。國產砂輪聯系方式

襯底粗磨減薄砂輪是半導體制造中的關鍵工具，尤其在晶圓襯底減薄工藝中發揮著不可替代的作用。隨著新能源汽車、軌道交通、消費電子等行業的快速發展，市場對于芯片和功率器件的性能要求越來越高，這直接推動了襯底粗磨減薄砂輪技術的不斷進步。在江蘇優普納科技有限公司，我們專注于研發和生產品質高的襯底粗磨減薄砂輪，以滿足客戶日益增長的需求。我們的砂輪采用先進的金剛石磨料和品質高結合劑，確保在粗磨過程中具有出色的磨削效率和穩定性，同時能更大限度地減少晶圓表面的損傷，提高芯片良率。國產砂輪聯系方式