二極管的分類：一、按半導體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管。三、按結構分類，半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：合金型二極管，在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。二極管在數字電路中常用作邏輯門的基本組成元素。續流二極管工作原理

發光二極管，施加正向偏置，可以發光的二極管。由發光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當LED產生的光是帶寬極窄的同調光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結，P區空穴、N區電子大量發生，產生電壓（光電效應）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管，由日本人江崎玲于奈于1957年發明。是利用量子穿隧效應的作用，會出現在一定偏置范圍內正向電壓增加時流通的電流量反而減少的“負電阻”的現象。這是較能耐受核輻射的半導體二極管。續流二極管工作原理二極管具有快速響應速度和較小的尺優勢，適用于高頻電路。

二極管（英語：Diode），是一種具有不對稱電導的雙電極電子元件。理想的二極管在正向導通時兩個電極（陽極和陰極）間擁有零電阻，而反向時則有無窮大電阻，即電流只允許由單一方向流過二極管。肖特基二極管，基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間trr特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。

早期的二極管包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（Thermionic Valves）”)。現今較普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。正向性，外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。部分特殊用途的二極管，如肖特基二極管，具有低壓降和快速恢復的特點。

工作原理：晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。二極管的反向電壓應小于其擊穿電壓，以防止擊穿現象的發生。肇慶收音機二極管

二極管正向導通時具有低電阻，反向截止時具有高電阻，具有整流和限流功能。續流二極管工作原理

瞬態抑制二極管(TVS管)，瞬態電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS，它是一種高效保護器件的一種二極管。當瞬態電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元 器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應時間快、瞬態功率大、漏電流 低、擊穿電壓偏差 、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優點。普遍應用于計算機系統、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮流 器、家用電器、儀器儀表電路中。瞬態電壓抑制二極管有單向和雙向兩種，單向的引腳有正負極方向性，使用方法和穩壓管相同，正極接入低電位，負極接入高電位，反向接入電路中。續流二極管工作原理