關鍵工藝流程
涂布:
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調整),需均勻無氣泡(旋涂轉速500-5000rpm)。
前烘(Soft Bake):
? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強附著力(避免顯影時邊緣剝離)。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。
? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。
? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。
? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影:
? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區域膠膜溶解,未曝光區域保留,形成三維立體圖案。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化學增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發光酸催化反應,提高分辨率和耐蝕刻性。
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技術挑戰
光刻膠作為半導體、顯示面板等高級制造的材料,其技術挑戰主要集中在材料性能優化、制程精度匹配、復雜環境適應性以及產業自主化突破等方面
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? 高分辨率:隨著半導體制程向3nm、2nm推進,需開發更高精度的EUV光刻膠,解決光斑擴散、線寬控制等問題。
? 靈敏度與穩定性:平衡感光速度和圖案抗蝕能力,適應極紫外光(13.5nm)的低能量曝光。
? 國產化替代:目前光刻膠(如EUV、ArF浸沒式)長期被日本、美國企業壟斷,國內正加速研發突破。
光刻膠的性能直接影響芯片制造的良率和精度,是支撐微電子產業的“卡脖子”材料之一。
聚焦先進封裝需求,吉田半導體提供從光刻膠到配套材料的一站式服務,助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片與 AI 處理器封裝領域,吉田半導體研發的 SU-3 負性光刻膠支持 3μm 厚膜加工,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,為高密度金屬互連提供可靠支撐。其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(180℃),焊接空洞率 < 5%;針筒錫膏適用于 01005 超微型元件,印刷精度達 ±5μm。通過標準化實驗室與快速響應團隊,公司為客戶提供工藝優化建議,幫助降低生產成本,增強市場競爭力。
吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業鏈:
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芯片制造:YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲,支持國產 14nm 芯片量產。
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顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%,成為京東方、華星光電戰略合作伙伴。
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新能源領域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認證,批量應用于寧德時代儲能系統,年供貨量超 500 噸。
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研發投入:年研發費用占比超 15%,承擔國家 02 專項課題,獲 “國家技術發明二等獎”。
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產能規模:光刻膠年產能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認證,生產過程執行 8S 管理,批次穩定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續聚焦光刻膠研發,加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破,目標在 2027 年前實現 7nm 制程材料量產。同時,深化國產供應鏈協同,構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態圈,為中國半導體產業自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業標準,吉田半導體以自研自產為引擎,走出了一條中國半導體材料企業的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產品與技術,助力中國半導體產業邁向更高臺階。
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納米制造與表面工程
? 納米結構模板:作為納米壓印光刻(NIL)的母版制備材料,通過電子束光刻膠寫出高精度納米圖案(如50nm以下的柱陣列、孔陣列),用于批量復制微流控芯片或柔性顯示基板。
? 表面功能化:在基底表面構建納米級粗糙度(如仿生荷葉超疏水表面)或化學圖案(引導細胞定向生長的納米溝槽),用于生物醫學或能源材料(如電池電極的納米陣列結構)。
量子技術與精密測量
? 超導量子比特:在鈮酸鋰或硅基底上,通過光刻膠定義納米級約瑟夫森結陣列,構建量子電路。
? 納米傳感器:制備納米級懸臂梁(表面鍍光刻膠圖案化的金屬電極),用于探測單個分子的質量或電荷變化(分辨率達亞納米級)。
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吉田半導體 YK-300 正性光刻膠:半導體芯片制造的材料
YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩定性。產品已通過中芯國際量產驗證,良率達 98% 以上,生產過程執行 ISO9001 標準,幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產與定制化需求,為國產芯片制造提供穩定材料支撐。
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