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厚板光刻膠 電路板制造：在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時，厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩(wěn)定性，比如汽車電子、工業(yè)控制等領域的電路板，能承受復雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。 功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）...

家庭小實驗：錫片的「抗銹能力」 將兩片相同大小的錫片與鐵片同時浸入5%鹽水，24小時后鐵片布滿紅銹，而錫片表面只有出現(xiàn)極淺的灰白色氧化斑——這直觀展示了錫的電極電位優(yōu)勢（比鐵高0.3V），使其在電化學腐蝕中更「被動」。 廚房小...

吉田半導體突破光刻膠共性難題，提升行業(yè)生產效率，通過優(yōu)化材料配方與工藝，吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題，助力客戶降本增效。 針對傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題，吉田半導體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產品高 8%，密集...

聚焦先進封裝需求，吉田半導體提供從光刻膠到配套材料的一站式服務，助力高性能芯片制造。 在 5G 芯片與 AI 處理器封裝領域，吉田半導體研發(fā)的 SU-3 負性光刻膠支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，為高密度金屬互連提供可靠支撐。其 ...

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。 厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適...

納米壓印光刻膠 微納光學器件制造：制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時，納米壓印光刻膠可實現(xiàn)高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術，將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上，再經過后續(xù)處理，可制造出具有特定光學性能的微納光學器件，應用于光通信...

吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產技術賦能 5G 芯片封裝 自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。 針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻...

技術優(yōu)勢：23年研發(fā)沉淀與細分領域突破 全流程自主化能力 吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，實現(xiàn)了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學...

吉田半導體獲評 "專精特新" 企業(yè)，行業(yè)技術標準，以技術創(chuàng)新與標準化生產為，吉田半導體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號，樹立行業(yè)。 憑借在光刻膠領域的表現(xiàn)，吉田半導體獲評 "廣東省專精特新企業(yè)"" "，承擔多項國家 02 專項課題。公司主導制定《半導體光...

晶須生長的「隱患與對策」：純錫片在長期應力下可能產生「錫晶須」（直徑1-5μm，長度可達1mm），導致電路短路。通過添加0.05%的鎳或銻，可抑制晶須生長速率90%以上，保障精密儀器（如衛(wèi)星導航系統(tǒng)）10年以上無故障運行。 相圖原理的...

吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產技術賦能 5G 芯片封裝 自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。 針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻...

厚板光刻膠 電路板制造：在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時，厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩(wěn)定性，比如汽車電子、工業(yè)控制等領域的電路板，能承受復雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。 功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）...

行業(yè)地位與競爭格局 1. 國際對比 ? 技術定位：聚焦細分市場（如納米壓印、LCD），而國際巨頭（如JSR、東京應化）主導半導體光刻膠（ArF、EUV）。 ? 成本優(yōu)勢：原材料自主化率超80%，成...

行業(yè)標準與認證 ? 歐盟RoHS指令：限制鉛等6種有害物質，無鉛錫片鉛含量需≤0.1%（質量比）。 ? JEDEC J-STD-006B：定義無鉛焊料的成分、物理性能及測試方法，指導行業(yè)規(guī)范應用。 ...

歷史冷知識：錫的「冬天之痛」 當溫度低于13.2℃，白錫會逐漸轉變?yōu)榇嘤驳幕义a（「錫疫」），1912年南極探險隊的錫制燃油桶因錫疫破裂，導致燃料泄漏，成為探險失敗的重要原因之一。現(xiàn)代錫片通過添加0.1%鉍，可將錫疫起始溫度降至-50℃以下，徹底解決這...

以 15% 年研發(fā)投入為驅動，吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā)，搶占行業(yè)制高點。布局下一代光刻技術。 面對極紫外光刻技術挑戰(zhàn)，吉田半導體與中科院合作開發(fā)化學放大型 EUV 光刻膠，在感光效率（<10mJ/cm2）和耐蝕性（>80%）指標上取得階段性...

納米電子器件制造 ? 半導體芯片：在22nm以下制程中，EUV光刻膠（分辨率≤10nm）用于制備晶體管柵極、納米導線等關鍵結構，實現(xiàn)芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GAA晶體管）。 ? 二維材料器件：在石墨烯、二...

以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝為，吉田半導體打造環(huán)保光刻膠，助力電子產業(yè)低碳轉型。面對全球環(huán)保趨勢，吉田半導體推出無鹵無鉛錫膏與焊片，通過歐盟 RoHS 認證，焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方（<50g/L），符合歐盟 REAC...

研發(fā)投入 ? 擁有自己實驗室和研發(fā)團隊，研發(fā)費用占比超15%，聚焦EUV光刻膠前驅體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域，與中山大學、華南理工大學建立產學研合作。 ? 專項布局：累計申請光刻膠相關的項目30余項，涵蓋樹脂合成...

吉田半導體突破光刻膠共性難題，提升行業(yè)生產效率，通過優(yōu)化材料配方與工藝，吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題，助力客戶降本增效。 針對傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題，吉田半導體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產品高 8%，密集...

人才與生態(tài)：跨學科團隊的“青黃不接” 前段人才的結構性短缺 光刻膠研發(fā)需材料化學、半導體工藝、分析檢測等多領域。國內高校相關專業(yè)畢業(yè)生30%進入光刻膠行業(yè)，且缺乏具有10年以上經驗的工程師。日本企業(yè)通過“技術導師制”培養(yǎng)人才，...

無鉛錫片是指不含鉛（Pb）或鉛含量低于歐盟RoHS指令（≤0.1%）的錫基合金材料，通過添加銀（Ag）、銅（Cu）、鉍（Bi）、鎳（Ni）等元素，替代傳統(tǒng)含鉛焊料，兼具環(huán)保性與可靠焊接性能，是現(xiàn)代電子制造業(yè)的主流材料。 二、主要成分與典...

技術挑戰(zhàn)： ? 技術壁壘：EUV光刻膠、3nm以下制程材料仍處研發(fā)階段，光刻膠分辨率、靈敏度與國際水平存在差距（如東京應化ArF膠分辨率達14nm）。 ? 供應鏈風險：樹脂、光引發(fā)劑等原...

耐腐蝕性的化學機制 表面氧化膜的保護作用 ? 錫（Sn）在常溫下與空氣中的氧氣反應，生成一層致密的二氧化錫（SnO?）薄膜，該膜附著性強，能有效阻止氧氣和水汽進一步滲透至金屬內部，形成“自我保護”機制。 ...

現(xiàn)代科技的「焊接使命」：20世紀80年的時候，貼裝技術（SMT）推動錫片向微米級進化，0.4mm引腳間距的QFP芯片焊接成為可能；21世紀初，無鉛化浪潮促使錫片合金配方從「經驗試錯」轉向「分子模擬設計」，通過原理計算優(yōu)化Ag、Cu原子排列，焊點可靠性提升5...

產品優(yōu)勢：多元化布局與專業(yè)化延伸 全品類覆蓋 吉田產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整產品線。例如： ? 芯片光刻膠：覆蓋i線、g線光刻膠，適用于6...

納米電子器件制造 ? 半導體芯片：在22nm以下制程中，EUV光刻膠（分辨率≤10nm）用于制備晶體管柵極、納米導線等關鍵結構，實現(xiàn)芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GAA晶體管）。 ? 二維材料器件：在石墨烯、二...

中藥蜜丸的「雙保險外衣」：安宮牛黃丸等傳統(tǒng)中藥的蠟丸內常包裹0.05mm厚的純錫片，錫的化學惰性使其不與中藥成分（如冰片、麝香）發(fā)生反應，同時阻擋99%的紫外線，防止有效成分在光照下分解失效。 廚房錫制餐具的「安全哲學」：手工錫制茶壺...

成分與環(huán)保性

晶圓制造（前道工藝） ? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。 ? 細分場景： ? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14n...