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來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-22

技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)

 更高分辨率需求:

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度(LER)”問題(目標(biāo)<5nm),通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善。

 缺陷控制:

? 半導(dǎo)體級(jí)正性膠要求金屬離子含量<1ppb,顆粒(>50nm)<1個(gè)/mL,需優(yōu)化提純工藝(如多級(jí)過濾+真空蒸餾)。

 國(guó)產(chǎn)化突破:

? 國(guó)內(nèi)企業(yè)(如上海新陽(yáng)、南大光電、容大感光)已在KrF/ArF膠實(shí)現(xiàn)批量供貨,但EUV膠仍被日本JSR、美國(guó)陶氏、德國(guó)默克壟斷,需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。

 環(huán)保與節(jié)能:

? 開發(fā)水基顯影正性膠(減少有機(jī)溶劑使用),或低烘烤溫度膠(降低半導(dǎo)體制造能耗)。

典型產(chǎn)品示例

? 傳統(tǒng)正性膠:Shipley S1813(G/I線,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩陣)。

? DUV正性膠:信越化學(xué)的ArF膠(用于14nm FinFET制程)、中芯國(guó)際認(rèn)證的國(guó)產(chǎn)KrF膠(28nm節(jié)點(diǎn))。

? EUV正性膠:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。

正性光刻膠是推動(dòng)半導(dǎo)體微縮的主要材料,其技術(shù)進(jìn)步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破,未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進(jìn)。
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正性光刻膠

  • 半導(dǎo)體分立器件制造:對(duì)于二極管、三極管等半導(dǎo)體分立器件,正性光刻膠可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖形化加工,滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時(shí),正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對(duì)比度,能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu),提高器件性能。
  • 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)制造:MEMS 器件如加速度計(jì)、陀螺儀等,結(jié)構(gòu)復(fù)雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟,可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu),確保 MEMS 器件的功能實(shí)現(xiàn)。


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吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題,提升行業(yè)生產(chǎn)效率,通過優(yōu)化材料配方與工藝,吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題,助力客戶降本增效。
針對(duì)傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴(yán)重等問題,吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%,密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù),在顯影過程中減少有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的損傷,使芯片良率提升至 99.8%。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本,推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升。

行業(yè)地位與競(jìng)爭(zhēng)格局

1. 國(guó)際對(duì)比

? 技術(shù)定位:聚焦細(xì)分市場(chǎng)(如納米壓印、LCD),而國(guó)際巨頭(如JSR、東京應(yīng)化)主導(dǎo)半導(dǎo)體光刻膠(ArF、EUV)。

? 成本優(yōu)勢(shì):原材料自主化率超80%,成本低20%;國(guó)際巨頭依賴進(jìn)口原材料,成本較高。

? 客戶響應(yīng):48小時(shí)內(nèi)提供定制化解決方案,認(rèn)證周期為國(guó)際巨頭的1/5。

2. 國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)
國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)仍由日本企業(yè)壟斷(全球市占率超60%),但吉田在納米壓印、LCD光刻膠等領(lǐng)域具備替代進(jìn)口的潛力。與南大光電、晶瑞電材等企業(yè)相比,吉田在細(xì)分市場(chǎng)的技術(shù)積累更深厚,但ArF、EUV光刻膠仍需突破。

風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)

 技術(shù)瓶頸:ArF、EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口,研發(fā)投入不足國(guó)際巨頭的1/10。

 客戶認(rèn)證周期:半導(dǎo)體光刻膠需2-3年驗(yàn)證,吉田尚未進(jìn)入主流晶圓廠供應(yīng)鏈。

 供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn):部分樹脂(如ArF用含氟樹脂)依賴日本住友電木。

 行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇:國(guó)內(nèi)企業(yè)如南大光電、晶瑞電材加速技術(shù)突破,可能擠壓吉田的市場(chǎng)份額。
吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。

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吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈:

  • 芯片制造:YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ),支持國(guó)產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。
  • 顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%,成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
  • 新能源領(lǐng)域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認(rèn)證,批量應(yīng)用于寧德時(shí)代儲(chǔ)能系統(tǒng),年供貨量超 500 噸。
  • 研發(fā)投入:年研發(fā)費(fèi)用占比超 15%,承擔(dān)國(guó)家 02 專項(xiàng)課題,獲 “國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)”。
  • 產(chǎn)能規(guī)模:光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場(chǎng)份額 15%。
  • 質(zhì)量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認(rèn)證,生產(chǎn)過程執(zhí)行 8S 管理,批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%。
吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā),加速 EUV 光刻膠與木基材料技術(shù)突破,目標(biāo)在 2027 年前實(shí)現(xiàn) 7nm 制程材料量產(chǎn)。同時(shí),深化國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同,構(gòu)建 “材料 - 設(shè)備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈,為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化貢獻(xiàn) “吉田力量”。
從突破國(guó)際壟斷到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),吉田半導(dǎo)體以自研自產(chǎn)為引擎,走出了一條中國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)的崛起之路。未來,公司將以更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品與技術(shù),助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺(tái)階。
光刻膠的技術(shù)挑戰(zhàn)現(xiàn)在就是需要突破難關(guān)!杭州進(jìn)口光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家

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 感光機(jī)制

? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過交聯(lián)反應(yīng)固化,適用于精細(xì)圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。

? SBQ型(單液型):預(yù)混光敏劑,無需調(diào)配,感光度高(曝光時(shí)間縮短30%),適合快速制版(如服裝印花)。

? 環(huán)保型:采用無鉻配方(如CN10243143A),通過多元固化體系(熱固化+光固化)實(shí)現(xiàn)12-15mJ/cm2快速曝光,分辨率達(dá)2μm,符合歐盟REACH標(biāo)準(zhǔn)。

 功能細(xì)分

? 耐溶劑型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶劑,適用于電子油墨印刷。

? 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性強(qiáng),適合紡織品水性漿料。

? 厚版型:如德國(guó)K?ppen厚版膠,單次涂布可達(dá)50μm,用于立體印刷。


典型應(yīng)用場(chǎng)景:

? PCB制造:使用360目尼龍網(wǎng)+重氮感光膠,配合LED曝光(405nm波長(zhǎng)),實(shí)現(xiàn)0.15mm線寬,耐酸性蝕刻液。

? 紡織印花:圓網(wǎng)制版采用9806A型感光膠,涂布厚度20μm,耐堿性染料色漿,耐印率超10萬次。

? 包裝印刷:柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+無溶劑工藝,碳排放降低40%。
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