廣東吉田半導體材料有限公司憑借技術創(chuàng)新與質量優(yōu)勢,在半導體材料行業(yè)占據(jù)重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產品,其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強酸強堿環(huán)境,適用于高精度納米結構制造;LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。此外,公司還提供焊片、靶材等配套材料,滿足客戶多元化需求。
在技術層面,吉田半導體通過自主研發(fā)與國際合作結合,持續(xù)優(yōu)化生產工藝,實現(xiàn)全流程自動化控制。其生產基地配備先進設備,并嚴格執(zhí)行國際標準,確保產品性能達到國際水平。同時,公司注重人才培養(yǎng)與引進,匯聚化工、材料學等領域的專業(yè)團隊,為技術創(chuàng)新提供堅實支撐。未來,吉田半導體將繼續(xù)以 “中國前列半導體材料方案提供商” 為愿景,推動行業(yè)技術升級與國產化進程。
嚴苛光刻膠標準品質,吉田半導體綠色制造創(chuàng)新趨勢。上海阻焊油墨光刻膠廠家
差異化競爭策略
在高級市場(如ArF浸沒式光刻膠),吉田半導體采取跟隨式創(chuàng)新,通過優(yōu)化現(xiàn)有配方(如提高酸擴散抑制效率)逐步縮小與國際巨頭的差距;在中低端市場(如PCB光刻膠),則憑借性價比優(yōu)勢(價格較進口產品低20%-30%)快速搶占份額,2023年PCB光刻膠市占率突破10%。
前沿技術儲備
公司設立納米材料研發(fā)中心,重點攻關分子玻璃光刻膠和金屬有機框架(MOF)光刻膠,目標在5年內實現(xiàn)EUV光刻膠的實驗室級突破。此外,其納米壓印光刻膠已應用于3D NAND存儲芯片的孔陣列加工,分辨率達10nm,為國產存儲廠商提供了替代方案。
福建阻焊光刻膠報價吉田半導體光刻膠,45nm 制程驗證,國產替代方案!
聚焦先進封裝需求,吉田半導體提供從光刻膠到配套材料的一站式服務,助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片與 AI 處理器封裝領域,吉田半導體研發(fā)的 SU-3 負性光刻膠支持 3μm 厚膜加工,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,為高密度金屬互連提供可靠支撐。其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(180℃),焊接空洞率 < 5%;針筒錫膏適用于 01005 超微型元件,印刷精度達 ±5μm。通過標準化實驗室與快速響應團隊,公司為客戶提供工藝優(yōu)化建議,幫助降低生產成本,增強市場競爭力。
吉田半導體獲評 "專精特新" 企業(yè),行業(yè)技術標準,以技術創(chuàng)新與標準化生產為,吉田半導體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號,樹立行業(yè)。
憑借在光刻膠領域的表現(xiàn),吉田半導體獲評 "廣東省專精特新企業(yè)"" ",承擔多項國家 02 專項課題。公司主導制定《半導體光刻膠用樹脂技術規(guī)范》等行業(yè)標準,推動國產材料標準化進程。未來,吉田半導體將繼續(xù)以" 中國半導體材料方案提供商 "為愿景,深化技術研發(fā)與市場拓展,為全球半導體產業(yè)發(fā)展貢獻" 中國力量 "。吉田技術自主化與技術領域突破!
正性光刻膠
-
半導體分立器件制造:對于二極管、三極管等半導體分立器件,正性光刻膠可實現(xiàn)精細的圖形化加工,滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時,正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度,能精確刻畫器件的結構,提高器件性能。
-
微機電系統(tǒng)(MEMS)制造:MEMS 器件如加速度計、陀螺儀等,結構復雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟,可在硅片等材料上制作出高精度的微結構,確保 MEMS 器件的功能實現(xiàn)。
深圳光刻膠廠家哪家好?南京負性光刻膠生產廠家
半導體材料選吉田,歐盟認證,支持定制化解決方案!上海阻焊油墨光刻膠廠家
? 化學反應:
? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;
? 負性膠:曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結構。
5. 顯影(Development)
? 顯影液:
? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區(qū)域;
? 負性膠:有機溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區(qū)域。
? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘(Post-Bake)
? 目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。
? 條件:
? 溫度:100-150℃(半導體用正性膠可能更高,如180℃);
? 時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。
7. 蝕刻/離子注入(后續(xù)工藝)
? 蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);
? 離子注入:膠膜保護未曝光區(qū)域,使雜質離子只能注入曝光區(qū)域(半導體摻雜工藝)。
8. 去膠(Strip)
? 方法:
? 濕法去膠:強氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);
? 干法去膠:氧等離子體灰化(半導體領域,無殘留)。
上海阻焊油墨光刻膠廠家