吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術壁壘，國產替代再迎新進展

• YK-300 正性光刻膠：分辨率達 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于 45nm 及以上制程，良率達 98% 以上，成本較進口產品降低 40%，已通過中芯國際量產驗證。
• SU-3 負性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，成功應用于高通 5G 基帶芯片封裝，良率提升至 98.5%。
• JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限，圖形保真度 > 95%，性能對標德國 MicroResist 系列，已應用于國產 EUV 光刻機前道工藝。

光刻膠解決方案找吉田，ISO 認證 + 8S 管理，良率達 98%！河南水性光刻膠價格

吉田半導體突破光刻膠共性難題，提升行業生產效率，通過優化材料配方與工藝，吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題，助力客戶降本增效。
針對傳統光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題，吉田半導體研發的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產品高 8%，密集圖形側壁垂直度達標率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯技術，在顯影過程中減少有機溶劑對有機半導體的損傷，使芯片良率提升至 99.8%。這些技術突破有效降低客戶生產成本，推動行業生產效率提升。河南水性光刻膠價格