廣東吉田半導體材料有限公司,坐落于松山湖經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū),是半導體材料領域的一顆璀璨明珠。公司注冊資本 2000 萬元,專注于半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,是國家高新技術企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)以及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。
強大的產(chǎn)品陣容:吉田半導體產(chǎn)品豐富且實力強勁。芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠精細滿足芯片制造、微納加工等關鍵環(huán)節(jié)需求;半導體錫膏、焊片在電子焊接領域性能;靶材更是在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關鍵作用。這些產(chǎn)品遠銷全球,與眾多世界 500 強企業(yè)及電子加工企業(yè)建立了長期穩(wěn)固的合作關系。
雄厚的研發(fā)生產(chǎn)實力:作為一家擁有 23 年研發(fā)與生產(chǎn)經(jīng)驗的綜合性企業(yè),吉田半導體具備行業(yè)前列規(guī)模與先進的全自動化生產(chǎn)設備。23 年的深耕細作,使其在技術研發(fā)、工藝優(yōu)化等方面積累了深厚底蘊,能夠快速響應市場需求,不斷推出創(chuàng)新性產(chǎn)品。
嚴格的質(zhì)量管控:公司始終將品質(zhì)視為生命線,嚴格按照 ISO9001:2008 質(zhì)量體系標準監(jiān)控生產(chǎn)制程。生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理,從源頭抓起,所有生產(chǎn)材料均選用美國、德國、日本等國家進口的高質(zhì)量原料,確??蛻羰褂玫匠哔|(zhì)量且穩(wěn)定的產(chǎn)品。
負性光刻膠生產(chǎn)原料。河北阻焊光刻膠廠家
技術挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢
更高分辨率需求:
? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度(LER)”問題(目標<5nm),通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。
缺陷控制:
? 半導體級正性膠要求金屬離子含量<1ppb,顆粒(>50nm)<1個/mL,需優(yōu)化提純工藝(如多級過濾+真空蒸餾)。
國產(chǎn)化突破:
? 國內(nèi)企業(yè)(如上海新陽、南大光電、容大感光)已在KrF/ArF膠實現(xiàn)批量供貨,但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷,需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環(huán)保與節(jié)能:
? 開發(fā)水基顯影正性膠(減少有機溶劑使用),或低烘烤溫度膠(降低半導體制造能耗)。
典型產(chǎn)品示例
? 傳統(tǒng)正性膠:Shipley S1813(G/I線,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩陣)。
? DUV正性膠:信越化學的ArF膠(用于14nm FinFET制程)、中芯國際認證的國產(chǎn)KrF膠(28nm節(jié)點)。
? EUV正性膠:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。
正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料,其技術進步直接關聯(lián)芯片制程的突破,未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
河北正性光刻膠工廠厚板光刻膠 JT-3001,抗深蝕刻,PCB 電路板制造Preferred!
全品類覆蓋與定制化能力
吉田半導體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠等全品類,適用于半導體、顯示面板、MEMS等多個領域。例如,其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求,支持客戶定制化工藝參數(shù),尤其在柔性顯示(OLED)和Mini/Micro LED等新興領域表現(xiàn)突出。
技術亮點:通過自主研發(fā)的樹脂配方和光敏劑體系,實現(xiàn)了高分辨率(120nm)和高抗蝕性的平衡,部分指標(如線寬粗糙度LWR<3nm)接近國際主流產(chǎn)品水平。
國產(chǎn)化材料與工藝適配
公司采用進口原材料+本地化生產(chǎn)模式,關鍵樹脂單體、光敏劑等主要成分通過德國默克、日本信越等供應商采購,同時建立了超純提純工藝(雜質(zhì)含量<1ppm),確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。此外,其光刻膠與國內(nèi)主流光刻機(如上海微電子SSA800)、勻膠顯影機(如盛美上海)的兼容性已通過驗證,縮短客戶工藝調(diào)試周期。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。
UV 納米壓印光刻膠:JT-2000 型號,耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝,如半導體器件制造。
其他光刻膠
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水油光刻膠 JT-2001:屬于水油兩用光刻膠,具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點,重量 1L。
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水油光刻膠 SR-3308:同樣為水油兩用光刻膠,重量 5L,具備上述通用優(yōu)勢,應用場景。
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正性光刻膠(如 YK-300)
應用場景:用于芯片的精細圖案化,如集成電路(IC)、分立器件(二極管、三極管)的制造。
特點:高分辨率(可達亞微米級),適用于多層光刻工藝,確保芯片電路的高精度與可靠性。
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負性光刻膠(如 JT-1000)
應用場景:用于功率半導體(如 MOSFET、IGBT)的制造,以及傳感器(如 MEMS)的微結(jié)構成型。
特點:抗蝕刻能力強,適合復雜圖形的轉(zhuǎn)移,尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
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納米壓印光刻膠(JT-2000)
應用場景:第三代半導體(GaN、SiC)芯片、量子點器件及微流控芯片的制造。特點:耐高溫(250℃)、耐酸堿,支持納米級精度圖案復制,降低芯片的制造成本。
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納米電子器件制造
? 半導體芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻膠(分辨率≤10nm)用于制備晶體管柵極、納米導線等關鍵結(jié)構,實現(xiàn)芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶體管)。
? 二維材料器件:在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面,通過電子束光刻膠定義納米電極陣列,構建單原子層晶體管或傳感器。
納米光子學與超材料
? 光子晶體與波導:利用光刻膠制備亞波長周期結(jié)構(如光子晶體光纖、納米級波導彎頭),調(diào)控光的傳播路徑,用于集成光路或量子光學器件。
? 超材料設計:在金屬/介質(zhì)基底上刻蝕納米級“魚網(wǎng)狀”“蝴蝶結(jié)”等圖案(如太赫茲超材料),實現(xiàn)對電磁波的超常調(diào)控(吸收、偏振轉(zhuǎn)換)。
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