東莞激光光刻膠品牌

來(lái)源：發(fā)布時(shí)間：2025-06-18

技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)

更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線(xiàn)邊緣粗糙度（LER）”問(wèn)題（目標(biāo)＜5nm），通過(guò)納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善。

缺陷控制：

? 半導(dǎo)體級(jí)正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個(gè)/mL，需優(yōu)化提純工藝（如多級(jí)過(guò)濾+真空蒸餾）。

國(guó)產(chǎn)化突破：

? 國(guó)內(nèi)企業(yè)（如上海新陽(yáng)、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實(shí)現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國(guó)陶氏、德國(guó)默克壟斷，需突破樹(shù)脂合成、PAG純度等瓶頸。

環(huán)保與節(jié)能：

? 開(kāi)發(fā)水基顯影正性膠（減少有機(jī)溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導(dǎo)體制造能耗）。

典型產(chǎn)品示例

? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線(xiàn)，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。

? DUV正性膠：信越化學(xué)的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國(guó)際認(rèn)證的國(guó)產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點(diǎn)）。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。

正性光刻膠是推動(dòng)半導(dǎo)體微縮的主要材料，其技術(shù)進(jìn)步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破，未來(lái)將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進(jìn)。

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技術(shù)驗(yàn)證周期長(zhǎng)

半導(dǎo)體光刻膠的客戶(hù)驗(yàn)證周期通常為2-3年，需經(jīng)歷PRS（性能測(cè)試）、STR（小試）、MSTR（批量驗(yàn)證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2025年才能進(jìn)入穩(wěn)定供貨階段。

原材料依賴(lài)仍存

樹(shù)脂和光酸仍依賴(lài)進(jìn)口，如KrF光刻膠樹(shù)脂的單體國(guó)產(chǎn)化率不足10%。國(guó)內(nèi)企業(yè)需在“吸附—重結(jié)晶—過(guò)濾—干燥”耦合工藝等關(guān)鍵技術(shù)上持續(xù)突破。

未來(lái)技術(shù)路線(xiàn)

? 金屬氧化物基光刻膠：氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現(xiàn)出更高分辨率和穩(wěn)定性，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線(xiàn)寬的原型驗(yàn)證。

? 電子束光刻膠：中科院微電子所開(kāi)發(fā)的聚酰亞胺基電子束光刻膠，分辨率達(dá)1nm，適用于量子芯片制造。

? AI驅(qū)動(dòng)材料設(shè)計(jì)：華為與中科院合作，利用機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化光刻膠配方，研發(fā)周期縮短50%。

上海網(wǎng)版光刻膠生產(chǎn)廠家吉田半導(dǎo)體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司成立于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售的技術(shù)企業(yè)。公司注冊(cè)資本 2000 萬(wàn)元，擁有 23 年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等，服務(wù)全球市場(chǎng)并與多家世界 500 強(qiáng)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作關(guān)系。

作為國(guó)家技術(shù)企業(yè)，吉田半導(dǎo)體以科技創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)力，擁有多項(xiàng)技術(shù)，并通過(guò) ISO9001:2008 質(zhì)量體系認(rèn)證。生產(chǎn)過(guò)程嚴(yán)格遵循 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理標(biāo)準(zhǔn)，原材料均采用美、德、日等國(guó)進(jìn)口的材料，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。公司配備全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備，具備行業(yè)大型的規(guī)模化生產(chǎn)能力，致力于成為 “半導(dǎo)體材料方案提供商”。

其明星產(chǎn)品包括：適用于 LCD 制造的正性光刻膠 YK-200/YK-300，具備高分辨率與優(yōu)異涂布性能；3 微米負(fù)性光刻膠 SU-3，適用于厚膜工藝；耐高溫達(dá) 250℃的納米壓印光刻膠 JT-2000，可滿(mǎn)足高精度微納加工需求。所有產(chǎn)品均符合要求，部分型號(hào)通過(guò)歐盟 ROHS 認(rèn)證。

對(duì)比國(guó)際巨頭的差異化競(jìng)爭(zhēng)力

維度吉田光刻膠國(guó)際巨頭（如JSR、東京應(yīng)化）

技術(shù)定位聚焦細(xì)分市場(chǎng)（如納米壓印、LCD）主導(dǎo)高級(jí)半導(dǎo)體光刻膠（ArF、EUV）

成本優(yōu)勢(shì) 原材料自主化率超80%，成本低20% 依賴(lài)進(jìn)口原材料，成本高

客戶(hù)響應(yīng) 48小時(shí)內(nèi)提供定制化解決方案認(rèn)證周期長(zhǎng)（2-3年）

區(qū)域市場(chǎng) 東南亞、北美市占率超15% 全球市占率超60%

風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)

前段技術(shù)瓶頸：ArF、EUV光刻膠仍依賴(lài)進(jìn)口，研發(fā)投入不足國(guó)際巨頭的1/10。

客戶(hù)認(rèn)證周期：半導(dǎo)體光刻膠需2-3年驗(yàn)證，吉田尚未進(jìn)入主流晶圓廠供應(yīng)鏈。

供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：部分樹(shù)脂（如ArF用含氟樹(shù)脂）依賴(lài)日本住友電木。

松山湖光刻膠廠家吉田，23 年經(jīng)驗(yàn) + 全自動(dòng)化產(chǎn)線(xiàn)，支持納米壓印光刻膠定制！

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類(lèi)別，以滿(mǎn)足不同領(lǐng)域的需求。

UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號(hào)，耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿，耐高溫達(dá) 250°C，長(zhǎng)期可靠性高，粘接強(qiáng)度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝，如半導(dǎo)體器件制造。

其他光刻膠

水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點(diǎn)，重量 1L。
水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用場(chǎng)景。

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光刻膠（Photoresist）是一種對(duì)光敏感的高分子材料，主要用于光刻工藝中，通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移，是半導(dǎo)體、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）、液晶顯示（LCD）等制造領(lǐng)域的材料之一。

光刻膠特性與組成

? 光敏性：在特定波長(zhǎng)（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下，會(huì)發(fā)生化學(xué)結(jié)構(gòu)變化（如交聯(lián)或分解），從而改變?cè)陲@影液中的溶解性。

? 主要成分：

? 樹(shù)脂（成膜劑）：形成基礎(chǔ)膜層，決定光刻膠的機(jī)械和化學(xué)性能。

? 光敏劑：吸收光能并引發(fā)化學(xué)反應(yīng)（如光分解、光交聯(lián)）。

? 溶劑：調(diào)節(jié)粘度，便于涂覆成膜。

? 添加劑：改善性能（如感光度、分辨率、對(duì)比度等）。

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標(biāo)簽：錫膏錫片光刻膠

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