研發投入
? 擁有自己實驗室和研發團隊,研發費用占比超15%,聚焦EUV光刻膠前驅體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域,與中山大學、華南理工大學建立產學研合作。
? 專項布局:累計申請光刻膠相關的項目30余項,涵蓋樹脂合成、配方優化、涂布工藝等細致環節。
生產體系
? 全自動化產線:采用德國曼茨(Manz)涂布設備、日本島津(Shimadzu)檢測儀器,年產能超500噸(光刻膠),支持小批量定制(小訂單100g)和大規模量產。
? 潔凈環境:生產車間達萬級潔凈標準(ISO 8級),避免顆粒污染,確保光刻膠缺陷密度<5個/cm2。
吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。沈陽水性光刻膠供應商
定義與特性
負性光刻膠是一種在曝光后,未曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比,其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低,但分辨率較低(通?!?μm),主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。
化學組成與工作原理
主要成分
基體樹脂:
? 早期以聚異戊二烯橡膠(天然或合成)為主,目前常用環化橡膠(Cyclized Rubber)或聚乙烯醇肉桂酸酯,提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。
光敏劑:
? 主要為雙疊氮化合物(如雙疊氮芪)或重氮醌類衍生物,占比約5%-10%,吸收紫外光后引發交聯反應。
交聯劑:
? 如六亞甲基四胺(烏洛托品),在曝光后與樹脂發生交聯,形成不溶性網狀結構。
溶劑:
? 多為有機溶劑(如二甲苯、環己酮),溶解樹脂和光敏劑,涂布后揮發形成均勻膠膜。
工作原理
曝光前:光敏劑和交聯劑均勻分散在樹脂中,膠膜可溶于顯影液(有機溶劑)。
曝光時:
? 光敏劑吸收紫外光(G線436nm為主)后產生活性自由基,引發交聯劑與樹脂分子間的共價鍵交聯,使曝光區域形成不溶于顯影液的三維網狀結構。
顯影后:
? 未曝光區域的樹脂因未交聯,被顯影液溶解去除,曝光區域保留,形成負性圖案(與掩膜版相反)。
四川水性光刻膠光刻膠廠家推薦吉田半導體,23 年研發經驗,全自動化生產保障品質!
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,各有特性與優勢,適用于不同領域。
厚板光刻膠 JT - 3001:具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年,適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景,如一些特殊的電路板制造。
SU - 3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應。重量為 100g,常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000:有 1L 和 100g 兩種規格,具有優異的分辨率,準確性和穩定性好。主要應用于液晶平板顯示器的制造,能滿足其對光刻膠高精度和穩定性的需求。
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠:耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高。重量 100g,適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝,如一些半導體器件的制造。
技術研發:從配方到工藝的經驗壁壘
配方設計的“黑箱效應”
光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合,需通過數萬次實驗優化。例如,ArF光刻膠需在193nm波長下實現0.1μm分辨率,其光酸產率、熱穩定性等參數需精確匹配光刻機性能。日本企業通過數十年積累形成的配方數據庫,國內企業短期內難以突破。
工藝控制的極限挑戰
光刻膠生產需在百級超凈車間進行,金屬離子含量需控制在1ppb以下。國內企業在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝上存在技術短板,導致產品批次一致性差。例如,恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產線驗證,但量產良率較日本同類型產品低約15%。
EUV光刻膠的“代際鴻溝”
EUV光刻膠需在13.5nm波長下工作,傳統有機光刻膠因吸收效率低、熱穩定性差面臨淘汰。國內企業如久日新材雖開發出EUV光致產酸劑,但金屬氧化物基光刻膠(如氧化鋅)的納米顆粒分散技術尚未突破,導致分辨率只達10nm,而國際水平已實現5nm。
吉田半導體實現光刻膠技術突破,為半導體產業鏈自主化提供材料支撐。
吉田半導體 SU-3 負性光刻膠:國產技術賦能 5G 芯片封裝
自主研發 SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求,吉田半導體自主研發 SU-3 負性光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性,已應用于高通 5G 基帶芯片量產。產品采用國產原材料與工藝,不采用國外材料,成本較進口產品降低 40%,幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,為國產 5G 芯片制造提供關鍵材料支撐。
聚焦封裝需求,吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務。南京LCD光刻膠
正性光刻膠生產廠家。沈陽水性光刻膠供應商
吉田半導體突破光刻膠共性難題,提升行業生產效率,通過優化材料配方與工藝,吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題,助力客戶降本增效。
針對傳統光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題,吉田半導體研發的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產品高 8%,密集圖形側壁垂直度達標率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯技術,在顯影過程中減少有機溶劑對有機半導體的損傷,使芯片良率提升至 99.8%。這些技術突破有效降低客戶生產成本,推動行業生產效率提升。沈陽水性光刻膠供應商