吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題,提升行業(yè)生產(chǎn)效率,通過(guò)優(yōu)化材料配方與工藝,吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問(wèn)題,助力客戶降本增效。
針對(duì)傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴(yán)重等問(wèn)題,吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類(lèi)產(chǎn)品高 8%,密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù),在顯影過(guò)程中減少有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的損傷,使芯片良率提升至 99.8%。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本,推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升。光刻膠的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域。東莞紫外光刻膠價(jià)格
原料準(zhǔn)備
? 主要成分:樹(shù)脂(成膜劑,如酚醛樹(shù)脂、聚酰亞胺等)、感光劑(光引發(fā)劑或光敏化合物,如重氮萘醌、光刻膠單體)、溶劑(溶解成分,如丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA))、添加劑(調(diào)節(jié)粘度、感光度、穩(wěn)定性等,如表面活性劑、穩(wěn)定劑)。
? 原料提純:對(duì)樹(shù)脂、感光劑等進(jìn)行高純度精制(純度通常要求99.9%以上),避免雜質(zhì)影響光刻精度。
配料與混合
? 按配方比例精確稱(chēng)量各組分,在潔凈環(huán)境,如萬(wàn)中通過(guò)攪拌機(jī)均勻混合,形成膠狀溶液。
? 控制溫度(通常20-30℃)和攪拌速度,避免氣泡產(chǎn)生或成分分解。
過(guò)濾與純化
? 使用納米級(jí)濾膜(孔徑0.05-0.2μm)過(guò)濾,去除顆粒雜質(zhì)(如金屬離子、灰塵),確保膠液潔凈度,避免光刻時(shí)產(chǎn)生缺陷。
性能檢測(cè)
? 物理指標(biāo):粘度、固含量、表面張力、分子量分布等,影響涂布均勻性。
? 化學(xué)指標(biāo):感光度、分辨率、對(duì)比度、耐蝕刻性,通過(guò)曝光實(shí)驗(yàn)和顯影測(cè)試驗(yàn)證。
? 可靠性:存儲(chǔ)穩(wěn)定性(常溫/低溫保存下的性能變化)、耐溫性(烘烤過(guò)程中的抗降解能力)。
包裝與儲(chǔ)存
? 在惰性氣體(如氮?dú)猓┉h(huán)境下分裝至避光容器(如棕色玻璃瓶或鋁罐),防止感光劑氧化或光分解。
? 儲(chǔ)存條件:低溫(5-10℃)、避光、干燥,部分產(chǎn)品需零下環(huán)境(如EUV光刻膠)。
甘肅制版光刻膠工廠吉田半導(dǎo)體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司,坐落于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū),是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的一顆璀璨明珠。公司注冊(cè)資本 2000 萬(wàn)元,專(zhuān)注于半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售,是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、廣東省專(zhuān)精特新企業(yè)以及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。
強(qiáng)大的產(chǎn)品陣容:吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富且實(shí)力強(qiáng)勁。芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠精細(xì)滿足芯片制造、微納加工等關(guān)鍵環(huán)節(jié)需求;半導(dǎo)體錫膏、焊片在電子焊接領(lǐng)域性能;靶材更是在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)全球,與眾多世界 500 強(qiáng)企業(yè)及電子加工企業(yè)建立了長(zhǎng)期穩(wěn)固的合作關(guān)系。
雄厚的研發(fā)生產(chǎn)實(shí)力:作為一家擁有 23 年研發(fā)與生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的綜合性企業(yè),吉田半導(dǎo)體具備行業(yè)前列規(guī)模與先進(jìn)的全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備。23 年的深耕細(xì)作,使其在技術(shù)研發(fā)、工藝優(yōu)化等方面積累了深厚底蘊(yùn),能夠快速響應(yīng)市場(chǎng)需求,不斷推出創(chuàng)新性產(chǎn)品。
嚴(yán)格的質(zhì)量管控:公司始終將品質(zhì)視為生命線,嚴(yán)格按照 ISO9001:2008 質(zhì)量體系標(biāo)準(zhǔn)監(jiān)控生產(chǎn)制程。生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理,從源頭抓起,所有生產(chǎn)材料均選用美國(guó)、德國(guó)、日本等國(guó)家進(jìn)口的高質(zhì)量原料,確??蛻羰褂玫匠哔|(zhì)量且穩(wěn)定的產(chǎn)品。
研發(fā)投入
? 擁有自己實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)團(tuán)隊(duì),研發(fā)費(fèi)用占比超15%,聚焦EUV光刻膠前驅(qū)體、低缺陷納米壓印膠等前沿領(lǐng)域,與中山大學(xué)、華南理工大學(xué)建立產(chǎn)學(xué)研合作。
? 專(zhuān)項(xiàng)布局:累計(jì)申請(qǐng)光刻膠相關(guān)的項(xiàng)目30余項(xiàng),涵蓋樹(shù)脂合成、配方優(yōu)化、涂布工藝等細(xì)致環(huán)節(jié)。
生產(chǎn)體系
? 全自動(dòng)化產(chǎn)線:采用德國(guó)曼茨(Manz)涂布設(shè)備、日本島津(Shimadzu)檢測(cè)儀器,年產(chǎn)能超500噸(光刻膠),支持小批量定制(小訂單100g)和大規(guī)模量產(chǎn)。
? 潔凈環(huán)境:生產(chǎn)車(chē)間達(dá)萬(wàn)級(jí)潔凈標(biāo)準(zhǔn)(ISO 8級(jí)),避免顆粒污染,確保光刻膠缺陷密度<5個(gè)/cm2。
負(fù)性光刻膠生產(chǎn)原料。
工藝流程
? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強(qiáng)感光膠附著力。
? 方法:
? 化學(xué)清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);
? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。
涂布(Coating)
? 方式:
? 旋涂:半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域,厚度控制精確(納米至微米級(jí)),轉(zhuǎn)速500-5000rpm;
? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領(lǐng)域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級(jí),如負(fù)性膠可達(dá)100μm)。
? 關(guān)鍵參數(shù):膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。
前烘(Soft Bake)
? 目的:揮發(fā)溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。
? 條件:
? 溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負(fù)性膠可至100℃以上);
? 時(shí)間:5-30分鐘(根據(jù)膠厚調(diào)整,厚膠需更長(zhǎng)時(shí)間)。
曝光(Exposure)
? 光源:
? 紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統(tǒng)光刻(分辨率≥1μm);
? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程(分辨率至20nm);
? 極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。
? 曝光方式:
? 接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);
? 投影式:通過(guò)物鏡聚焦(半導(dǎo)體,分辨率高,如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm)。
政策支持:500億加碼產(chǎn)業(yè)鏈。無(wú)錫PCB光刻膠廠家
厚板光刻膠 JT-3001,抗深蝕刻,PCB 電路板制造Preferred!東莞紫外光刻膠價(jià)格
吉田半導(dǎo)體柯圖泰全系列感光膠:進(jìn)口品牌品質(zhì),本地化服務(wù)支持
柯圖泰全系列感光膠依托進(jìn)口技術(shù),提供高性價(jià)比的絲網(wǎng)印刷解決方案。
吉田半導(dǎo)體代理的柯圖泰全系列感光膠(如 PLUS 6000、Autosol 2000),源自美國(guó)先進(jìn)配方,分辨率達(dá) 120 線 / 英寸,適用于玻璃、陶瓷等多種基材。產(chǎn)品通過(guò) SGS 認(rèn)證,符合電子行業(yè)有害物質(zhì)限制要求,其高感光度與耐摩擦性,確保絲網(wǎng)印刷的清晰度與耐久性。公司提供技術(shù)參數(shù)匹配、制版工藝指導(dǎo)等本地化服務(wù),幫助客戶優(yōu)化生產(chǎn)流程,降低材料損耗。
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