裸体xxxⅹ性xxx乱大交,野花日本韩国视频免费高清观看,第一次挺进苏小雨身体里,黄页网站推广app天堂

五pmos管mp5的柵極連接一電流鏡單元的輸出端和二電流鏡單元的輸出端并通過三電阻r3后連接負電源電壓vne，其漏極連接負電源電壓vne，其源極輸出浮動地電壓作為雪崩光電二極管的偏置電壓。浮動地電壓連接復位管gn的源極，復位管gn的漏極連接淬滅管gp的源極和雪崩光電二極管的的陽極。一電流鏡單元用于將流過一pmos管mp1的電流按比例鏡像，實施例中提出一種比例電流鏡結構，能夠步進調節鏡像的電流比例，如圖1所示，一電流鏡單元包括一開關s1、二開關s2、三開關s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8，其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體...

第二延遲熒光摻雜劑562可以由式1或式3表示，第二磷光摻雜劑564可以由式5表示。第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比等于或小于約5％。例如，第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比可以在約％至％，推薦地約％至％的范圍內。盡管未示出，但是第三eml560還可以包含基質。基質可以在第三eml560中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基質和第三eml560的基質可以相同或不同。cgl580被定位在發光部分530與第二發光部分550之間，第二cgl590被定位在第二發光部分550與第三發光部分57...

根據本發明的一方面，磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量％比(wpd/wtd)等于或小于％，并且推薦地為約％至％。根據本發明的一方面，延遲熒光摻雜劑相對于基質的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實施例7、9和10中所示，隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加，oled的效率降低。如上所述，在本公開內容的oledd1中，eml150包含在發射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154，并且相對于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。因此，oledd1的色彩連續性得到提高。圖4為根據本公開內容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示，照明裝...

在這種情況下，半導體層可以包含非晶硅。盡管未示出，但是柵極線和數據線彼此交叉以限定像素區域，并且形成切換tft以與柵極線和數據線連接。切換tft與作為驅動元件的tfttr連接。此外，還可以形成電力線，所述電力線可以形成為與柵極線和數據線中的一者平行并間隔開；和用于在一幀中保持tfttr的柵極電極的電壓的存儲電容器。形成有鈍化層350以覆蓋tfttr，鈍化層350包括暴露tfttr的漏電極342的漏極接觸孔352。在各像素中單獨形成有電極220，電極220通過漏極接觸孔352與tfttr的漏電極342連接。電極220可以為陽極，并且可以由具有相對高的功函數的導電材料形成。例如，電極220...

并發送給該微控制器15；該微控制器15控制并獲取該發光二極管11的電流值，該驅動板12依據該電流值驅動該發光二極管11；該微控制器15依據該良好溫度值和該良好壓差值，調用預存儲的良好校準數據表進行良好對比，依據該良好對比的結果對該良好壓差值進行校準后，獲取第二壓差值，良好校準數據表為該發光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統計表；圖2是根據發明實施例的壓降和溫度的初始工作統計示意圖，如圖2所示，發光二極管的正向壓降是隨溫度變化而改變的曲線，是大小偏移的曲線，且該發光二極管11的正向壓降的偏移量與工作溫度呈負相關，例如，該良好壓差值可以依據該正向壓降的曲線進行校準，調整為第二壓差值，該發光...

實時監控發光二極管的工作溫度、正向壓降值和電流值，并依據良好校準數據表對壓差值進行校準，在壓差值超出第二校準數據表的合理范圍后，進行報警提醒，解決了單個led燈的使用壽命無法準確預測的問題，實現了單個led燈的使用壽命的準確預測和報警。在一個實施例中，還提供了一種醫療設備，包括存儲器、處理器和發光二極管11，所述存儲器存儲有計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現發光二極管的控制方法的步驟。根據本發明的另一個方面，還提供了一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，該計算機程序被處理器執行時實現上述實施例的該的方法的步驟。本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例方法中的全部或部...

本發明屬于集成電路領域與光電領域，涉及一種基于負電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進行調節的電路。背景技術：單光子探測技術是近年來剛剛發展起來的一種基于單光子的新式探測技術，它可以實現對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優點，因此被廣泛應用。雪崩光電二極管apd探測器根據其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工...

第二藍色摻雜劑462可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。藍色摻雜劑422和第二藍色摻雜劑462可以相同或不同。盡管未示出，但是第三eml460還可以包含基質。相對于基質，第二藍色摻雜劑462的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。cgl480被定位在發光部分430與第二發光部分450之間，第二cgl490被定位在第二發光部分450與第三發光部分470之間。即，發光部分430和第二發光部分450通過cgl480彼此連接，第二發光部分450和第三發光部分470通過第二cgl490彼此連接。cgl480和第二cgl490各自可以為p-n結型cgl。cgl480...

以通過控制流到三電阻r3上的電流大小來控制像素內五pmos管mp5的柵極電壓的大小，進而控制浮動地點的電壓大小，從而保證實現浮動地處電壓的步進調節。本實施例中當一開關s1、二開關s2和三開關s3至少有一個閉合時，通過一電流鏡單元鏡像按不同比例鏡像的電流將浮動地電位調節為步進電壓的不同倍數，本實施例將步進電壓即一運算放大器op1正相輸入端的基準電壓vref設置為，將比例電流鏡中三個pmos管的寬長比設置為1:2:4，因此能將浮動地電位從0v～7倍步進電壓即0v、、1v、、2v、、3v、。當運放的正相輸入端輸入電壓為0v時，若二pmos管mp2管的漏端接地，則源漏電壓為0v，二pmos管m...

背景技術：在相關技術中，帶影像功能的醫療器械主要包括前端圖像采集裝置，后端主機和冷光源。其中前端圖像采集裝置和后端主機主要負責圖像的采集與傳輸，冷光源負責提供合格的光源，圖像的好壞與冷光源的工作狀態有直接的關聯，冷光源的中心部件就是led燈。市場上的led產品壽命通常標稱30000-60000小時，但是在使用一定時間后，led燈會出現光衰，色偏等不良變化。光衰導致亮度降低，色偏導致色溫偏移，進而影響顯色性，這在醫用光源里是不可接受的。并且每個led燈都有細微的差別，依靠廠家的測試報告來推導工作壽命是不可取的，這就需要實時預警led的壽命針對相關技術中，單個led燈的使用壽命無法準確預測...

可以將流過一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進行復制，如當只有一開關s1閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:1的比例進行復制，當一開關s1和二開關s2同時閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:3的比例進行復制，當一開關s1、二開關s2和三開關s3都閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:7的比例進行復制。按照相同的原理可以設置多種開關組合實現想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流，如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實現形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極，...

以通過控制流到三電阻r3上的電流大小來控制像素內五pmos管mp5的柵極電壓的大小，進而控制浮動地點的電壓大小，從而保證實現浮動地處電壓的步進調節。本實施例中當一開關s1、二開關s2和三開關s3至少有一個閉合時，通過一電流鏡單元鏡像按不同比例鏡像的電流將浮動地電位調節為步進電壓的不同倍數，本實施例將步進電壓即一運算放大器op1正相輸入端的基準電壓vref設置為，將比例電流鏡中三個pmos管的寬長比設置為1:2:4，因此能將浮動地電位從0v～7倍步進電壓即0v、、1v、、2v、、3v、。當運放的正相輸入端輸入電壓為0v時，若二pmos管mp2管的漏端接地，則源漏電壓為0v，二pmos管m...

發送報警信息。圖3是根據發明實施例的壓降和電流的初始工作統計示意圖，如圖3所示，該發光二極管的正向壓降為隨電流變化而變化的曲線，是正向壓降本身的曲線，該發光二極管11的正向壓降的偏移量與工作電流呈正相關，例如，在依據該第二壓差值和電流值與該曲線進行對比的情況下，對比的結果超過預設的閾值，該微控制器15生成報警信息，該發光二極管11出廠前，對可以進行長時間的工作測試，例如，進行500小時的工作測試，該微控制器15記錄發光二極管11正常工作在不同電流下的正向壓降，依據該正向壓降的偏移量生成該第二校準數據表，該第二校準數據表用于對該第二壓差值進行對比判斷，判斷該發光二極管11的壓差值是否在允...

十六pmos管m7的漏極連接十七pmos管m8的源極；十八pmos管m9的柵極作為一運算放大器op1的正相輸入端，其源極連接十九pmos管m10的源極和十三pmos管m4的漏極，其漏極連接一nmos管m11的源極和三nmos管m13的漏極；十九pmos管m10的柵極作為一運算放大器op1的反相輸入端，其漏極連接二nmos管m12的源極和四nmos管m14的漏極；三nmos管m13的柵極連接四nmos管m14的柵極以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏極；二nmos管m12的柵極連接一nmos管m11的柵極以及一偏置電壓vb，其漏極連接十七pmos管m8的漏極并作為一運算放大器o...

該微控制器15獲取該發光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發光二極管11的良好溫度值。在本發明的一個實施例中，提供了一種發光二極管11的控制方法，圖7是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據該良好溫度值和該良好壓差值，調用預存儲的良好校準數據表進行良...

依據溫度阻值曲線圖獲取所述熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據所述熱敏電阻ntc的第二溫度值確定所述發光二極管的所述良好溫度值。根據本發明的一個方面，還提供了一種醫療設備，包括存儲器、處理器和發光二極管，所述存儲器存儲有計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現上述發光二極管的控制方法的步驟。根據本發明的一個方面，還提供了一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現上述發光二極管的控制方法的步驟。通過本發明，獲取發光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據該良好溫度值和該良好壓差值，調用預存儲的良好校準數據表進行良好對比，依據該良好對比的結果對該良好壓差值進...

具體實施方式下面結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細的描述。本發明提出一種基于負壓調節的雪崩光電二極管偏壓調節電路，包括像素外偏置電壓產生模塊和像素內偏壓調節模塊，如圖1所示，像素外偏置電壓產生模塊包括一運算放大器op1、二運算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一電阻r1、二電阻r2、一電流源i1和二電流源i2，一運算放大器op1的正相輸入端連接基準電壓vref，其反相輸入端連接二pmos管mp2的源極和一電流源i1，其輸出端連接一pmos管mp1的柵極；一pmos管mp1的源極連接電源電壓，其漏極連接二pmos管mp2的柵極...

利用運放將四pmos管mp4的源極電壓和二pmos管mp2的源極電壓分別鉗位至0v和步進電壓，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3產生像素內的偏置電流；在像素內利用電流鏡單元鏡像一pmos管mp1和三pmos管mp3產生的偏置電流，一電流鏡單元通過數字開關控制像素內的比例電流鏡鏡像偏置電流的比例，從而實現雪崩光電二極管apd偏置電壓的步進調節；通過引入負電源電壓，擴大了apd偏置電壓的調節范圍，有利于提高apd陣列的均勻性和電壓穩定性，提升光子探測的靈敏度；提出以pmos源極，而不是ldo電路中的漏極產生步進電壓，具有面積小、響應速度快，電壓準確度高等優點；像素外的運放采用折疊式...

第二延遲熒光摻雜劑562可以由式1或式3表示，第二磷光摻雜劑564可以由式5表示。第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比等于或小于約5％。例如，第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比可以在約％至％，推薦地約％至％的范圍內。盡管未示出，但是第三eml560還可以包含基質。基質可以在第三eml560中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基質和第三eml560的基質可以相同或不同。cgl580被定位在發光部分530與第二發光部分550之間，第二cgl590被定位在第二發光部分550與第三發光部分57...

cgl280被定位在發光部分250與第二發光部分270之間。即，發光部分250和第二發光部分270通過cgl280連接。cgl280可以為包括n型cgl282和p型cgl284的p-n結型cgl。n型cgl282被定位在etl256與第二htl272之間，p型cgl284被定位在n型cgl282與第二htl272之間。在圖5中，與作為陽極的電極220相鄰的eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244，與作為陰極的第二電極230相鄰的第二eml260包含藍色摻雜劑262。或者，與作為陽極的電極220相鄰的eml240可以包含藍色摻雜劑，與作為陰極...

根據本發明的一方面，磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量％比(wpd/wtd)等于或小于％，并且推薦地為約％至％。根據本發明的一方面，延遲熒光摻雜劑相對于基質的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實施例7、9和10中所示，隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加，oled的效率降低。如上所述，在本公開內容的oledd1中，eml150包含在發射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154，并且相對于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。因此，oledd1的色彩連續性得到提高。圖4為根據本公開內容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示，照明裝...

eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244。在形成有有機發光層290的基板310上方形成有第二電極230。第二電極230覆蓋顯示區的整個表面，并且可以由具有相對低的功函數的導電材料形成以用作陰極。例如，第二電極230可以由鋁(al)、鎂(mg)或al-mg合金形成。由于來自有機發光層290的光穿過第二電極230入射到濾色器層380，因此第二電極230具有薄的外觀，使得光穿過第二電極230。電極220、有機發光層290和第二電極230構成oledd2。濾色器層380被定位在oledd2上或在oledd2上方，并且包括分別對應于紅色像素rp、綠色...

良好校準數據表為所述發光二極管的初始溫度值和所述初始電壓值統計表；獲取發光二極管的電流值，依據所述第二壓差值和所述電流值，調用預存儲的第二校準數據表進行第二對比，第二校準數據表為所述發光二極管的初始壓差值和初始電流值統計表，在所述第二對比的結果不符合預設閾值的情況下，發送報警信息。在其中一個實施例中，所述獲取發光二極管電流值包括：獲取脈沖調制pwm信號，依據所述pwm信號和預設的最大電流值，確定所述電流值。在其中一個實施例中，所述獲取發光二極管的良好壓差值包括：通過運算差分電路接入所述發光二極管的兩端，獲取所述發光二極管的良好壓差值。在其中一個實施例中，所述獲取發光二極管溫度值包括：獲...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體...

以及磷光摻雜劑244具有與發射波長范圍不同的第二發射波長范圍。例如，發射波長范圍可以為綠色波長范圍，以及第二發射波長范圍可以為紅色波長范圍。延遲熒光摻雜劑242可以由式1或式3表示，磷光摻雜劑244可以由式5表示。磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比可以在約％至％的范圍內，推薦約％至％。盡管未示出，但是eml240還可以包含基質。基質可以在eml240中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl...

該微控制器15獲取該發光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發光二極管11的良好溫度值。在本發明的一個實施例中，提供了一種發光二極管11的控制方法，圖7是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據該良好溫度值和該良好壓差值，調用預存儲的良好校準數據表進行良...

ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實施例8(ex8...

以及磷光摻雜劑244具有與發射波長范圍不同的第二發射波長范圍。例如，發射波長范圍可以為綠色波長范圍，以及第二發射波長范圍可以為紅色波長范圍。延遲熒光摻雜劑242可以由式1或式3表示，磷光摻雜劑244可以由式5表示。磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比可以在約％至％的范圍內，推薦約％至％。盡管未示出，但是eml240還可以包含基質。基質可以在eml240中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl...