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五pmos管mp5的柵極連接一電流鏡單元的輸出端和二電流鏡單元的輸出端并通過(guò)三電阻r3后連接負(fù)電源電壓vne，其漏極連接負(fù)電源電壓vne，其源極輸出浮動(dòng)地電壓作為雪崩光電二極管的偏置電壓。浮動(dòng)地電壓連接復(fù)位管gn的源極，復(fù)位管gn的漏極連接淬滅管gp的源極和雪崩光電二極管的的陽(yáng)極。一電流鏡單元用于將流過(guò)一pmos管mp1的電流按比例鏡像，實(shí)施例中提出一種比例電流鏡結(jié)構(gòu)，能夠步進(jìn)調(diào)節(jié)鏡像的電流比例，如圖1所示，一電流鏡單元包括一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2、三開(kāi)關(guān)s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8，其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長(zhǎng)比之...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向?yàn)V色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導(dǎo)體層322。半導(dǎo)體層322可以包含氧化物半導(dǎo)體...

第二延遲熒光摻雜劑562可以由式1或式3表示，第二磷光摻雜劑564可以由式5表示。第二磷光摻雜劑564相對(duì)于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比等于或小于約5％。例如，第二磷光摻雜劑564相對(duì)于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比可以在約％至％，推薦地約％至％的范圍內(nèi)。盡管未示出，但是第三eml560還可以包含基質(zhì)。基質(zhì)可以在第三eml560中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基質(zhì)和第三eml560的基質(zhì)可以相同或不同。cgl580被定位在發(fā)光部分530與第二發(fā)光部分550之間，第二cgl590被定位在第二發(fā)光部分550與第三發(fā)光部分57...

根據(jù)本發(fā)明的一方面，磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量％比(wpd/wtd)等于或小于％，并且推薦地為約％至％。根據(jù)本發(fā)明的一方面，延遲熒光摻雜劑相對(duì)于基質(zhì)的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實(shí)施例7、9和10中所示，隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加，oled的效率降低。如上所述，在本公開(kāi)內(nèi)容的oledd1中，eml150包含在發(fā)射波長(zhǎng)范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154，并且相對(duì)于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。因此，oledd1的色彩連續(xù)性得到提高。圖4為根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示，照明裝...

在這種情況下，半導(dǎo)體層可以包含非晶硅。盡管未示出，但是柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)域，并且形成切換tft以與柵極線和數(shù)據(jù)線連接。切換tft與作為驅(qū)動(dòng)元件的tfttr連接。此外，還可以形成電力線，所述電力線可以形成為與柵極線和數(shù)據(jù)線中的一者平行并間隔開(kāi)；和用于在一幀中保持tfttr的柵極電極的電壓的存儲(chǔ)電容器。形成有鈍化層350以覆蓋tfttr，鈍化層350包括暴露tfttr的漏電極342的漏極接觸孔352。在各像素中單獨(dú)形成有電極220，電極220通過(guò)漏極接觸孔352與tfttr的漏電極342連接。電極220可以為陽(yáng)極，并且可以由具有相對(duì)高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，電極220...

并發(fā)送給該微控制器15；該微控制器15控制并獲取該發(fā)光二極管11的電流值，該驅(qū)動(dòng)板12依據(jù)該電流值驅(qū)動(dòng)該發(fā)光二極管11；該微控制器15依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良好對(duì)比，依據(jù)該良好對(duì)比的結(jié)果對(duì)該良好壓差值進(jìn)行校準(zhǔn)后，獲取第二壓差值，良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統(tǒng)計(jì)表；圖2是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖，如圖2所示，發(fā)光二極管的正向壓降是隨溫度變化而改變的曲線，是大小偏移的曲線，且該發(fā)光二極管11的正向壓降的偏移量與工作溫度呈負(fù)相關(guān)，例如，該良好壓差值可以依據(jù)該正向壓降的曲線進(jìn)行校準(zhǔn)，調(diào)整為第二壓差值，該發(fā)光...

實(shí)時(shí)監(jiān)控發(fā)光二極管的工作溫度、正向壓降值和電流值，并依據(jù)良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表對(duì)壓差值進(jìn)行校準(zhǔn)，在壓差值超出第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表的合理范圍后，進(jìn)行報(bào)警提醒，解決了單個(gè)led燈的使用壽命無(wú)法準(zhǔn)確預(yù)測(cè)的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了單個(gè)led燈的使用壽命的準(zhǔn)確預(yù)測(cè)和報(bào)警。在一個(gè)實(shí)施例中，還提供了一種醫(yī)療設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器和發(fā)光二極管11，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管的控制方法的步驟。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的該的方法的步驟。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部...

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域，涉及一種基于負(fù)電源電壓對(duì)雪崩光電二極管的偏置電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù)：?jiǎn)喂庾犹綔y(cè)技術(shù)是近年來(lái)剛剛發(fā)展起來(lái)的一種基于單光子的新式探測(cè)技術(shù)，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱光信號(hào)的檢測(cè)。在目前所用的光電探測(cè)器中，具有單光子探測(cè)能力的探測(cè)器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡(jiǎn)稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用。雪崩光電二極管apd探測(cè)器根據(jù)其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工...

第二藍(lán)色摻雜劑462可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。藍(lán)色摻雜劑422和第二藍(lán)色摻雜劑462可以相同或不同。盡管未示出，但是第三eml460還可以包含基質(zhì)。相對(duì)于基質(zhì)，第二藍(lán)色摻雜劑462的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。cgl480被定位在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間，第二cgl490被定位在第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間。即，發(fā)光部分430和第二發(fā)光部分450通過(guò)cgl480彼此連接，第二發(fā)光部分450和第三發(fā)光部分470通過(guò)第二cgl490彼此連接。cgl480和第二cgl490各自可以為p-n結(jié)型cgl。cgl480...

以通過(guò)控制流到三電阻r3上的電流大小來(lái)控制像素內(nèi)五pmos管mp5的柵極電壓的大小，進(jìn)而控制浮動(dòng)地點(diǎn)的電壓大小，從而保證實(shí)現(xiàn)浮動(dòng)地處電壓的步進(jìn)調(diào)節(jié)。本實(shí)施例中當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2和三開(kāi)關(guān)s3至少有一個(gè)閉合時(shí)，通過(guò)一電流鏡單元鏡像按不同比例鏡像的電流將浮動(dòng)地電位調(diào)節(jié)為步進(jìn)電壓的不同倍數(shù)，本實(shí)施例將步進(jìn)電壓即一運(yùn)算放大器op1正相輸入端的基準(zhǔn)電壓vref設(shè)置為，將比例電流鏡中三個(gè)pmos管的寬長(zhǎng)比設(shè)置為1:2:4，因此能將浮動(dòng)地電位從0v～7倍步進(jìn)電壓即0v、、1v、、2v、、3v、。當(dāng)運(yùn)放的正相輸入端輸入電壓為0v時(shí)，若二pmos管mp2管的漏端接地，則源漏電壓為0v，二pmos管m...

背景技術(shù)：在相關(guān)技術(shù)中，帶影像功能的醫(yī)療器械主要包括前端圖像采集裝置，后端主機(jī)和冷光源。其中前端圖像采集裝置和后端主機(jī)主要負(fù)責(zé)圖像的采集與傳輸，冷光源負(fù)責(zé)提供合格的光源，圖像的好壞與冷光源的工作狀態(tài)有直接的關(guān)聯(lián)，冷光源的中心部件就是led燈。市場(chǎng)上的led產(chǎn)品壽命通常標(biāo)稱30000-60000小時(shí)，但是在使用一定時(shí)間后，led燈會(huì)出現(xiàn)光衰，色偏等不良變化。光衰導(dǎo)致亮度降低，色偏導(dǎo)致色溫偏移，進(jìn)而影響顯色性，這在醫(yī)用光源里是不可接受的。并且每個(gè)led燈都有細(xì)微的差別，依靠廠家的測(cè)試報(bào)告來(lái)推導(dǎo)工作壽命是不可取的，這就需要實(shí)時(shí)預(yù)警led的壽命針對(duì)相關(guān)技術(shù)中，單個(gè)led燈的使用壽命無(wú)法準(zhǔn)確預(yù)測(cè)...

可以將流過(guò)一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進(jìn)行復(fù)制，如當(dāng)只有一開(kāi)關(guān)s1閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:1的比例進(jìn)行復(fù)制，當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1和二開(kāi)關(guān)s2同時(shí)閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:3的比例進(jìn)行復(fù)制，當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2和三開(kāi)關(guān)s3都閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:7的比例進(jìn)行復(fù)制。按照相同的原理可以設(shè)置多種開(kāi)關(guān)組合實(shí)現(xiàn)想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過(guò)三pmos管mp3的電流，如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實(shí)現(xiàn)形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極，...

以通過(guò)控制流到三電阻r3上的電流大小來(lái)控制像素內(nèi)五pmos管mp5的柵極電壓的大小，進(jìn)而控制浮動(dòng)地點(diǎn)的電壓大小，從而保證實(shí)現(xiàn)浮動(dòng)地處電壓的步進(jìn)調(diào)節(jié)。本實(shí)施例中當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2和三開(kāi)關(guān)s3至少有一個(gè)閉合時(shí)，通過(guò)一電流鏡單元鏡像按不同比例鏡像的電流將浮動(dòng)地電位調(diào)節(jié)為步進(jìn)電壓的不同倍數(shù)，本實(shí)施例將步進(jìn)電壓即一運(yùn)算放大器op1正相輸入端的基準(zhǔn)電壓vref設(shè)置為，將比例電流鏡中三個(gè)pmos管的寬長(zhǎng)比設(shè)置為1:2:4，因此能將浮動(dòng)地電位從0v～7倍步進(jìn)電壓即0v、、1v、、2v、、3v、。當(dāng)運(yùn)放的正相輸入端輸入電壓為0v時(shí)，若二pmos管mp2管的漏端接地，則源漏電壓為0v，二pmos管m...

發(fā)送報(bào)警信息。圖3是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖，如圖3所示，該發(fā)光二極管的正向壓降為隨電流變化而變化的曲線，是正向壓降本身的曲線，該發(fā)光二極管11的正向壓降的偏移量與工作電流呈正相關(guān)，例如，在依據(jù)該第二壓差值和電流值與該曲線進(jìn)行對(duì)比的情況下，對(duì)比的結(jié)果超過(guò)預(yù)設(shè)的閾值，該微控制器15生成報(bào)警信息，該發(fā)光二極管11出廠前，對(duì)可以進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的工作測(cè)試，例如，進(jìn)行500小時(shí)的工作測(cè)試，該微控制器15記錄發(fā)光二極管11正常工作在不同電流下的正向壓降，依據(jù)該正向壓降的偏移量生成該第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表，該第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表用于對(duì)該第二壓差值進(jìn)行對(duì)比判斷，判斷該發(fā)光二極管11的壓差值是否在允...

十六pmos管m7的漏極連接十七pmos管m8的源極；十八pmos管m9的柵極作為一運(yùn)算放大器op1的正相輸入端，其源極連接十九pmos管m10的源極和十三pmos管m4的漏極，其漏極連接一nmos管m11的源極和三nmos管m13的漏極；十九pmos管m10的柵極作為一運(yùn)算放大器op1的反相輸入端，其漏極連接二nmos管m12的源極和四nmos管m14的漏極；三nmos管m13的柵極連接四nmos管m14的柵極以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏極；二nmos管m12的柵極連接一nmos管m11的柵極以及一偏置電壓vb，其漏極連接十七pmos管m8的漏極并作為一運(yùn)算放大器o...

該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周?chē)脑摕崦綦娐穘tc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法，圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良...

依據(jù)溫度阻值曲線圖獲取所述熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)所述熱敏電阻ntc的第二溫度值確定所述發(fā)光二極管的所述良好溫度值。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還提供了一種醫(yī)療設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器和發(fā)光二極管，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述發(fā)光二極管的控制方法的步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述發(fā)光二極管的控制方法的步驟。通過(guò)本發(fā)明，獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良好對(duì)比，依據(jù)該良好對(duì)比的結(jié)果對(duì)該良好壓差值進(jìn)...

具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。本發(fā)明提出一種基于負(fù)壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路，包括像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊和像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊，如圖1所示，像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括一運(yùn)算放大器op1、二運(yùn)算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一電阻r1、二電阻r2、一電流源i1和二電流源i2，一運(yùn)算放大器op1的正相輸入端連接基準(zhǔn)電壓vref，其反相輸入端連接二pmos管mp2的源極和一電流源i1，其輸出端連接一pmos管mp1的柵極；一pmos管mp1的源極連接電源電壓，其漏極連接二pmos管mp2的柵極...

利用運(yùn)放將四pmos管mp4的源極電壓和二pmos管mp2的源極電壓分別鉗位至0v和步進(jìn)電壓，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生像素內(nèi)的偏置電流；在像素內(nèi)利用電流鏡單元鏡像一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生的偏置電流，一電流鏡單元通過(guò)數(shù)字開(kāi)關(guān)控制像素內(nèi)的比例電流鏡鏡像偏置電流的比例，從而實(shí)現(xiàn)雪崩光電二極管apd偏置電壓的步進(jìn)調(diào)節(jié)；通過(guò)引入負(fù)電源電壓，擴(kuò)大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍，有利于提高apd陣列的均勻性和電壓穩(wěn)定性，提升光子探測(cè)的靈敏度；提出以pmos源極，而不是ldo電路中的漏極產(chǎn)生步進(jìn)電壓，具有面積小、響應(yīng)速度快，電壓準(zhǔn)確度高等優(yōu)點(diǎn)；像素外的運(yùn)放采用折疊式...

第二延遲熒光摻雜劑562可以由式1或式3表示，第二磷光摻雜劑564可以由式5表示。第二磷光摻雜劑564相對(duì)于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比等于或小于約5％。例如，第二磷光摻雜劑564相對(duì)于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比可以在約％至％，推薦地約％至％的范圍內(nèi)。盡管未示出，但是第三eml560還可以包含基質(zhì)。基質(zhì)可以在第三eml560中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基質(zhì)和第三eml560的基質(zhì)可以相同或不同。cgl580被定位在發(fā)光部分530與第二發(fā)光部分550之間，第二cgl590被定位在第二發(fā)光部分550與第三發(fā)光部分57...

cgl280被定位在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間。即，發(fā)光部分250和第二發(fā)光部分270通過(guò)cgl280連接。cgl280可以為包括n型cgl282和p型cgl284的p-n結(jié)型cgl。n型cgl282被定位在etl256與第二htl272之間，p型cgl284被定位在n型cgl282與第二htl272之間。在圖5中，與作為陽(yáng)極的電極220相鄰的eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244，與作為陰極的第二電極230相鄰的第二eml260包含藍(lán)色摻雜劑262。或者，與作為陽(yáng)極的電極220相鄰的eml240可以包含藍(lán)色摻雜劑，與作為陰極...

根據(jù)本發(fā)明的一方面，磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量％比(wpd/wtd)等于或小于％，并且推薦地為約％至％。根據(jù)本發(fā)明的一方面，延遲熒光摻雜劑相對(duì)于基質(zhì)的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實(shí)施例7、9和10中所示，隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加，oled的效率降低。如上所述，在本公開(kāi)內(nèi)容的oledd1中，eml150包含在發(fā)射波長(zhǎng)范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154，并且相對(duì)于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。因此，oledd1的色彩連續(xù)性得到提高。圖4為根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示，照明裝...

eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244。在形成有有機(jī)發(fā)光層290的基板310上方形成有第二電極230。第二電極230覆蓋顯示區(qū)的整個(gè)表面，并且可以由具有相對(duì)低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成以用作陰極。例如，第二電極230可以由鋁(al)、鎂(mg)或al-mg合金形成。由于來(lái)自有機(jī)發(fā)光層290的光穿過(guò)第二電極230入射到濾色器層380，因此第二電極230具有薄的外觀，使得光穿過(guò)第二電極230。電極220、有機(jī)發(fā)光層290和第二電極230構(gòu)成oledd2。濾色器層380被定位在oledd2上或在oledd2上方，并且包括分別對(duì)應(yīng)于紅色像素rp、綠色...

良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始溫度值和所述初始電壓值統(tǒng)計(jì)表；獲取發(fā)光二極管的電流值，依據(jù)所述第二壓差值和所述電流值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行第二對(duì)比，第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始?jí)翰钪岛统跏茧娏髦到y(tǒng)計(jì)表，在所述第二對(duì)比的結(jié)果不符合預(yù)設(shè)閾值的情況下，發(fā)送報(bào)警信息。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述獲取發(fā)光二極管電流值包括：獲取脈沖調(diào)制pwm信號(hào)，依據(jù)所述pwm信號(hào)和預(yù)設(shè)的最大電流值，確定所述電流值。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述獲取發(fā)光二極管的良好壓差值包括：通過(guò)運(yùn)算差分電路接入所述發(fā)光二極管的兩端，獲取所述發(fā)光二極管的良好壓差值。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述獲取發(fā)光二極管溫度值包括：獲...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向?yàn)V色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導(dǎo)體層322。半導(dǎo)體層322可以包含氧化物半導(dǎo)體...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向?yàn)V色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導(dǎo)體層322。半導(dǎo)體層322可以包含氧化物半導(dǎo)體...

以及磷光摻雜劑244具有與發(fā)射波長(zhǎng)范圍不同的第二發(fā)射波長(zhǎng)范圍。例如，發(fā)射波長(zhǎng)范圍可以為綠色波長(zhǎng)范圍，以及第二發(fā)射波長(zhǎng)范圍可以為紅色波長(zhǎng)范圍。延遲熒光摻雜劑242可以由式1或式3表示，磷光摻雜劑244可以由式5表示。磷光摻雜劑244相對(duì)于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑244相對(duì)于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比可以在約％至％的范圍內(nèi)，推薦約％至％。盡管未示出，但是eml240還可以包含基質(zhì)。基質(zhì)可以在eml240中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl...

該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周?chē)脑摕崦綦娐穘tc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法，圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良...

ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實(shí)施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實(shí)施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實(shí)施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實(shí)施例8(ex8...

以及磷光摻雜劑244具有與發(fā)射波長(zhǎng)范圍不同的第二發(fā)射波長(zhǎng)范圍。例如，發(fā)射波長(zhǎng)范圍可以為綠色波長(zhǎng)范圍，以及第二發(fā)射波長(zhǎng)范圍可以為紅色波長(zhǎng)范圍。延遲熒光摻雜劑242可以由式1或式3表示，磷光摻雜劑244可以由式5表示。磷光摻雜劑244相對(duì)于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑244相對(duì)于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比可以在約％至％的范圍內(nèi)，推薦約％至％。盡管未示出，但是eml240還可以包含基質(zhì)。基質(zhì)可以在eml240中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl...