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AlN有兩個非常重要的性能值得注意：一個是高的熱導率，一個是與Si相匹配的膨脹系數。缺點是即使在表面有非常薄的氧化層也會對熱導率產生影響，只有對材料和工藝進行嚴格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產技術國內像斯利通這樣能大規模生產的少之又少，相對于Al2O3，AlN價格相對偏高許多，這個也是制約其發展的小瓶頸。不過隨著經濟的提升，技術的升級，這種瓶頸終會消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領域還是處于主導地位而被大量運用。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展...

碳化硅半導體屬于高度技術密集型行業，具有較高的技術、人才、資金、資源和認證壁壘，高度依賴于技術及生產經驗。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭相投資，碳化硅產業成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業競爭。同時，全球碳化硅半導體行業市場集中度較高，市場份額主要被美國、歐洲、日本等國家和地區的企業占據，國內企業未來將面臨國際先進企業和國內新進入者的雙重競爭。若競爭過早進入白熱化，會對大批初創科技型碳化硅企業的成長造成致命打擊。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個...

按化學成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、20...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過5...

國內碳化硅襯底產品以4英寸和6英寸為主，少數企業實現8英寸量產，與國際廠商仍有一定差距。我國碳化硅產業起步較晚，國內廠商與國外企業在碳化硅襯底產品上存在差距。國內以4英寸和6英寸為主，而國際廠商如Wolfspeed、意法半導體在2023年已能夠大批量穩定供應8英寸襯底。國內碳化硅襯底企業天岳先進2024年5月披露，公司8英寸導電型襯底產品已經實現批量交貨，將推動頭部客戶向8英寸轉型，但8英寸產品品質和良率與國際廠商還有一定差距。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、202...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現了突出的性能優勢，具有極高的產業價值，被當下業內稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國家戰略性需求的重要行業。我們通過對碳化硅產業鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環節的價值分析，揭示碳化硅產業鏈的發展趨勢以及面臨的機遇與挑戰。五展聯動孕育無限發展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA...

碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設備適中，為目前主流技術。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業化應用。碳化硅外延設備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于202...

我國碳化硅產業雖起步較晚，但近年來，在國家政策推動和地方積極產業布局下，我國逐步形成了覆蓋襯底、外延、器件等環節的完整的第三代半導體產業鏈，并形成了以京津冀、長三角、珠三角等區域的第三代半導體產業集群。其中，京津冀區域集中了清華大學、北京大學、中科院半導體所等相關科研院所，并擁有天科合達、同光晶體、泰科天潤、世紀金光等第三代半導體企業，初步形成較為完整的碳化硅產業鏈；長三角區域目前形成了以蘇州為中心的氮化鎵全產業鏈集群和以上海為中心的碳化硅功率半導體企業集群；珠三角區域作為國內集成電路產業資源集中地區，成立了多個研究基地，擁有包括東莞天域、東莞中鎵、亞迪半導體等在內的第三代半導體相關企業。“第...

氧化鋁陶瓷以Al2O3為主要成分,含有少量SiO2的陶瓷，又稱高鋁陶瓷。根據Al2O3含量不同分為75瓷(含75%Al2O3，又稱剛玉-莫來石瓷)、95瓷和99瓷，后兩者又稱剛玉瓷。氧化鋁陶瓷耐高溫性能好，可使用到1950℃。具有良好的電絕緣性能及耐磨性。微晶剛玉的硬度極高(僅次于金剛石)。氧化鋁陶瓷被用作耐火材料，如耐火磚、坩堝、熱偶套管，淬火鋼的切削刀具、金屬拔絲模，內燃機的火花塞，火箭、導彈的導流罩及軸承等。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈...

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型，而導電型對應同質外延，半絕緣型對應異質外延。同質外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件，適用于電子電力領域如新能源汽車、軌道交通、智能電網、光伏發電等；在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-1...

傳統硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優先選擇。為實現離子注入區域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調節注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發科及日清公司，國內廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上...

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規模體量，比如新能源車的產銷量、充電樁的配套數量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領域需平衡碳化硅器件高價格與性能優勢帶來的綜合成本，短期內將限制碳化硅器件在功率器件領域的滲透率，大規模應用仍存挑戰。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業研發、生產造成不利影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更...

陶瓷注射成型技術作為一種新興的精密制造技術，有著其不可比擬的獨特優勢。成為國內外精密陶瓷零部件中具有優勢的先進制備技術。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形...

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規模體量，比如新能源車的產銷量、充電樁的配套數量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領域需平衡碳化硅器件高價格與性能優勢帶來的綜合成本，短期內將限制碳化硅器件在功率器件領域的滲透率，大規模應用仍存挑戰。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業研發、生產造成不利影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更...

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型，而導電型對應同質外延，半絕緣型對應異質外延。同質外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件，適用于電子電力領域如新能源汽車、軌道交通、智能電網、光伏發電等；在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-1...

PVT法通過感應加熱碳化硅粉料，在密閉生長腔室內高溫低壓下使其升華產生反應氣體，通過固—氣反應產生碳化硅單晶反應源，在生長腔室頂部設置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區形成碳化硅氣態前驅物，帶入低溫區沉積形成碳化硅晶體。LPE法基于“溶解—析出”原理，通過碳在1400℃至1800℃高溫純硅溶液中的溶解和從過飽和溶液中析出碳化硅晶體來實現生長，需助熔劑提高碳溶解度。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，...

半導體材料作為一種在常溫下導電性能介于絕緣體與導體之間的特殊物質，在現代科技產業中發揮著至關重要的作用，被譽為現代工業的“糧食”。從研究和規模化應用的時間順序來看，半導體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發展對高溫、高功率、gao壓、高頻等復雜場景的器件要求。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平...

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規模體量，比如新能源車的產銷量、充電樁的配套數量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領域需平衡碳化硅器件高價格與性能優勢帶來的綜合成本，短期內將限制碳化硅器件在功率器件領域的滲透率，大規模應用仍存挑戰。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業研發、生產造成不利影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平...

將碳化硅晶錠用X射線單晶定向儀定向，再用精密機械加工成標準尺寸和角度的碳化硅晶棒，并對所有晶棒進行尺寸、角度等指標檢測。在考慮后續加工余量后，用金剛石細線切割碳化硅晶棒至所需厚度，并通過全自動測試設備對面型進行檢測。切片作為晶體加工的首要步驟，對后續加工和產能的影響較大。碳化硅的高硬度導致鋸線消耗大、加工時間長、廢料率高、產量有限、高成本等問題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、202...

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強度，而后者會降低熱循環能力。對于那些整合了極端熱和機械應力的應用（例如混合動力汽車和電動汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇。基板（陶瓷）和導體（銅）的熱膨脹系數存在很大差異，會在熱循環期間對鍵合區產生壓力，進而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應用的增長，設計者找到了新方法來確保這些推動極具挑戰性的新技術發展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

先進陶瓷又稱高性能陶瓷、精細陶瓷、高技術陶瓷等，是指采用高純度、超細人工合成或精選的無機化合物為原料，具有優異的力學、聲、光、熱、電、生物等特性的陶瓷。先進陶瓷在原料、工藝方面有別于傳統陶瓷，特定的精細結構使其具有gao強、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、絕緣、超導、生物相容等一系列優點，被廣泛應用于國防、化工、冶金、電子、機械、航空、航天、生物醫學等領域。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2...

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉模塑封結構和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結構。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統硅基IGBT封裝結構，難以發揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰。“第十七屆中國?國際先進陶...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動孕育無限發展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平...

PVT法通過感應加熱碳化硅粉料，在密閉生長腔室內高溫低壓下使其升華產生反應氣體，通過固—氣反應產生碳化硅單晶反應源，在生長腔室頂部設置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區形成碳化硅氣態前驅物，帶入低溫區沉積形成碳化硅晶體。LPE法基于“溶解—析出”原理，通過碳在1400℃至1800℃高溫純硅溶液中的溶解和從過飽和溶液中析出碳化硅晶體來實現生長，需助熔劑提高碳溶解度。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，...

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強度，而后者會降低熱循環能力。對于那些整合了極端熱和機械應力的應用（例如混合動力汽車和電動汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇。基板（陶瓷）和導體（銅）的熱膨脹系數存在很大差異，會在熱循環期間對鍵合區產生壓力，進而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應用的增長，設計者找到了新方法來確保這些推動極具挑戰性的新技術發展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶...

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉模塑封結構和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結構。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統硅基IGBT封裝結構，難以發揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰。“第十七屆中國?國際先進陶...

碳化硅襯底的電學性能決定了下游芯片功能與性能的優劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學性能的碳化硅襯底。按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區間為15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！“2025年中國?國際先進陶瓷展覽會：粉末冶金及硬質合金...

目前，陶瓷注射成型技術開始向精密化發展，研究與開發的重點由過去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產品，種類越來越多，其主要應用領域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因為其尺寸小、精度高、內孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國外公司生產的產品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關節、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據世界衛...

碳化硅外延需經過光刻、沉積、離子注入等前段工藝形成碳化硅晶圓，再經過減薄、封裝等后段工藝分別形成碳化硅芯片、功率器件及功率模塊。在制程上，SiC芯片與硅基器件的工藝類似，但SiC制備需要特殊設備，如高溫離子注入機和高溫熱處理設備等。刻蝕、減薄等環節也需特殊設備。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展...