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碳化硅外延環(huán)節(jié)呈現(xiàn)美、日兩強(qiáng)局面，美國(guó)Wolfspeed和日本昭和電工雙寡頭壟斷，此外還有美國(guó)II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱電機(jī)、意法半導(dǎo)體（ST）、德國(guó)英飛凌（Infineon）等企業(yè)。國(guó)內(nèi)東莞天域、瀚天天成為主要廠商，晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)、芯三代、中電48所、普興電子、三安光電、啟迪半導(dǎo)體、深圳納設(shè)智能等亦有布局，努力推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代。預(yù)計(jì)2025年全球和國(guó)內(nèi)6寸碳化硅外延設(shè)備新增市場(chǎng)空間分別約為130億元和53億元美元。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM C...

微波燒結(jié)是利用微波電磁場(chǎng)中材料的介質(zhì)損耗使材料整體加熱至燒結(jié)溫度而實(shí)現(xiàn)燒結(jié)和致密化。微波燒結(jié)具有體加熱的特性，燒結(jié)過(guò)程中依靠材料本身吸收微波能，并轉(zhuǎn)化為材料內(nèi)部分子的動(dòng)能和勢(shì)能，降低燒結(jié)活化能，提高擴(kuò)散系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)低溫快速燒結(jié)，可獲得納米晶粒的燒結(jié)體。微波燒結(jié)的優(yōu)點(diǎn)為具有較短的燒結(jié)時(shí)間，使引起低頻介質(zhì)損耗的缺陷濃度減小，從而使得介質(zhì)損耗降低。相對(duì)于常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)，微波燒結(jié)制備的BaTiO3陶瓷晶粒更小，具有相對(duì)多的晶界，晶界的介電常數(shù)較低。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！先進(jìn)制造業(yè)新發(fā)展格局“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展...

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢(shì)，具有極高的產(chǎn)業(yè)價(jià)值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)專(zhuān)jia稱(chēng)為“黃金投資賽道”。我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，是國(guó)?家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過(guò)對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價(jià)值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢(shì)以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開(kāi)裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過(guò)程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對(duì)增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時(shí)抗彎強(qiáng)度好；在2mol%時(shí)斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

碳化硅半導(dǎo)體屬于高度技術(shù)密集型行業(yè)，具有較高的技術(shù)、人才、資金、資源和認(rèn)證壁壘，高度依賴(lài)于技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭(zhēng)相投資，碳化硅產(chǎn)業(yè)成為熱門(mén)賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。同時(shí)，全球碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)集中度較高，市場(chǎng)份額主要被美國(guó)、歐洲、日本等國(guó)?家和地區(qū)的企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)未來(lái)將面臨國(guó)際先進(jìn)企業(yè)和國(guó)內(nèi)新進(jìn)入者的雙重競(jìng)爭(zhēng)。若競(jìng)爭(zhēng)過(guò)早進(jìn)入白熱化，會(huì)對(duì)大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長(zhǎng)造成致命打擊。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500...

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經(jīng)過(guò)粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱(chēng)。陶瓷的傳統(tǒng)概念是指所有以粘土等無(wú)機(jī)非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產(chǎn)品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經(jīng)混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業(yè)同屬于“硅酸鹽工業(yè)”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機(jī)和金屬材料以外的其他所有材料，即無(wú)機(jī)非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學(xué)成分、礦物組成、物理性質(zhì)，以及制 造方法，常常互相接近交錯(cuò)，無(wú)明顯的界限，而在應(yīng)用上卻有很大的區(qū)別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個(gè)系統(tǒng)，...

按化學(xué)成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、20...

刻蝕技術(shù)是SiC器件研制的關(guān)鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對(duì)器件性能至關(guān)重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點(diǎn)，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，而廣泛應(yīng)用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側(cè)壁控zhi、蝕刻速率和側(cè)壁粗糙度等需針對(duì)SiC材料特性開(kāi)發(fā)。刻蝕環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實(shí)現(xiàn)更小尺寸器件結(jié)構(gòu)、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉(zhuǎn)變等。主流的SiCICP刻蝕設(shè)備廠商包括德國(guó)Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國(guó)AMAT、英國(guó)牛津儀器、日本Samco及愛(ài)發(fā)科，及我國(guó)北方華創(chuàng)、中國(guó)電科48所、...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開(kāi)裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過(guò)程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對(duì)增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時(shí)抗彎強(qiáng)度好；在2mol%時(shí)斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

從國(guó)內(nèi)看，碳化硅制造廠商包括長(zhǎng)飛先進(jìn)、芯聯(lián)集成、上海積塔、比亞迪、三安光電、士蘭微、泰科天潤(rùn)等，其中長(zhǎng)飛先進(jìn)、芯聯(lián)集成、上海積塔已實(shí)現(xiàn)碳化硅MOSFET產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)，其他企業(yè)尚不具備大規(guī)模量產(chǎn)能力。三家企業(yè)產(chǎn)能合計(jì)為25萬(wàn)片/年，規(guī)劃產(chǎn)能為44.8萬(wàn)片/年。國(guó)外he心技術(shù)封鎖為常態(tài)，國(guó)產(chǎn)替代需求迫切。和許多先進(jìn)科技一樣，國(guó)內(nèi)發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)也受到國(guó)外技術(shù)禁運(yùn)的限制，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體器件在jun事領(lǐng)域的應(yīng)用，這進(jìn)一步催生了國(guó)產(chǎn)替代的迫切需求。國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在自主創(chuàng)新的推動(dòng)下，正加速自主研發(fā)步伐，以bao障供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海...

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過(guò)調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線(xiàn)難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率低于10%，是我國(guó)碳化硅晶圓線(xiàn)建設(shè)的較大瓶頸。國(guó)際主流廠商包括美國(guó)亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購(gòu)?fù)呃锇玻毡緪?ài)發(fā)科及日清公司，國(guó)內(nèi)廠商主要有中國(guó)電科48所（爍科中科信），中車(chē)思銳（收購(gòu)IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上...

“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕，高壓燒結(jié)有兩種方式，第一種為高壓成型常壓燒結(jié)，第二種為高壓氣氛燒結(jié)。1、高壓成型常壓燒結(jié)高壓成型常壓燒結(jié)中，樣品在高壓下再次加壓后，顆粒之間的接觸點(diǎn)增加且氣孔減少，導(dǎo)致燒結(jié)前坯體的相對(duì)密度明顯增加，而陶瓷燒結(jié)活性與樣品的壓坯密度緊密相關(guān)，所以燒結(jié)溫度明顯降低。高壓成型常壓燒結(jié)使燒結(jié)溫度降低了至少200℃（無(wú)壓燒結(jié)溫度一般高于1200℃）。2、高壓氣氛燒結(jié)高壓氣氛燒結(jié)中，高壓能夠明顯增加陶瓷致密的驅(qū)動(dòng)力，并且由于成核勢(shì)壘的降低使成核速率增加，擴(kuò)散能力的降低使生長(zhǎng)速率減小。高壓氣氛燒結(jié)被認(rèn)為是一種比較理想的得到致密細(xì)...

碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長(zhǎng)條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類(lèi)型，重復(fù)性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時(shí)間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于202...

外延生長(zhǎng)技術(shù)是碳化硅器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對(duì)器件性能影響很大，碳化硅襯底無(wú)法直接制作器件，優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進(jìn)微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯(cuò)、貫穿螺型位錯(cuò)（TSD）、貫穿刃型位錯(cuò)（TED）和基平面位錯(cuò)（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長(zhǎng)缺陷，同時(shí)精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對(duì)應(yīng)不同耐壓等級(jí)的器件規(guī)格。通常，1μm的外延層對(duì)應(yīng)100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時(shí)，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時(shí)，外延層厚度需在100μm以上。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50...

陶瓷注射成型技術(shù)作為一種新興的精密制造技術(shù)，有著其不可比擬的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。成為國(guó)內(nèi)外精密陶瓷零部件中具有優(yōu)勢(shì)的先進(jìn)制備技術(shù)。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。無(wú)壓燒結(jié)在常壓下進(jìn)行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長(zhǎng)時(shí)間、等燒結(jié)速率進(jìn)行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過(guò)1000℃）和較長(zhǎng)的保溫時(shí)間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時(shí)材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過(guò)高，可能導(dǎo)致晶界的移動(dòng)速度過(guò)快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度后...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開(kāi)裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過(guò)程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對(duì)增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時(shí)抗彎強(qiáng)度好；在2mol%時(shí)斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵途徑。對(duì)于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測(cè)算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測(cè)算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展會(huì)展覽面積將超...

五展聯(lián)動(dòng)；孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)；IACECHINA2025將與第17屆中國(guó)國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AMCHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿(mǎn)足觀眾和買(mǎi)家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。本屆展會(huì)（2025年）展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。20...

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿(mǎn)足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類(lèi)：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！誠(chéng)邀您蒞臨參觀！靠技術(shù)騰飛，借展會(huì)布局，云集中外品牌的“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶...

陶瓷注射成型技術(shù)作為一種新興的精密制造技術(shù)，有著其不可比擬的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。成為國(guó)內(nèi)外精密陶瓷零部件中具有優(yōu)勢(shì)的先進(jìn)制備技術(shù)。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形...

注射成型過(guò)程中由于工藝參數(shù)控制不當(dāng)，或者是喂料本身缺陷，以及模具設(shè)計(jì)不合理等因素，容易造成諸如欠注、斷裂、孔洞、變形、毛邊等各種缺陷。結(jié)合具體過(guò)程，對(duì)常見(jiàn)的注射缺陷進(jìn)行分析，并加以控制，以提高生產(chǎn)率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模過(guò)程中不能充滿(mǎn)整個(gè)模腔。一般在剛開(kāi)始注射時(shí)產(chǎn)生，可能是由喂料溫度或模具溫度過(guò)低、加料量不足、喂料粘度過(guò)大等因素引起的。通過(guò)增加預(yù)塑時(shí)間升高喂料溫度、升高模具溫度、加大進(jìn)料量、升高注射溫度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、斷裂缺陷斷裂。一般發(fā)生在脫模中，往往是脆斷。主要是因?yàn)槟＞邷囟忍停蛘呤潜汉屠鋮s時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，使得坯體溫度大幅下降，引起的收縮太大使坯體...

隨著下游應(yīng)用端的不斷拓展，碳化硅產(chǎn)能供不應(yīng)求。從全球產(chǎn)能情況來(lái)看，近5年內(nèi)全球碳化硅襯底產(chǎn)能?chē)?yán)重不足。2023至2025年處于擴(kuò)建產(chǎn)能爬坡期，預(yù)計(jì)2026年新產(chǎn)能大量釋放，但釋放后也只能滿(mǎn)足不足60%的市場(chǎng)需求。考慮未來(lái)再建產(chǎn)能的時(shí)間周期，包括評(píng)估、資本募集、建廠、訂購(gòu)設(shè)備、產(chǎn)線(xiàn)爬坡等時(shí)間需求，更大產(chǎn)能需要在2030年后才能釋放。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制...

按化學(xué)成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、20...

隨著下游應(yīng)用端的不斷拓展，碳化硅產(chǎn)能供不應(yīng)求。從全球產(chǎn)能情況來(lái)看，近5年內(nèi)全球碳化硅襯底產(chǎn)能?chē)?yán)重不足。2023至2025年處于擴(kuò)建產(chǎn)能爬坡期，預(yù)計(jì)2026年新產(chǎn)能大量釋放，但釋放后也只能滿(mǎn)足不足60%的市場(chǎng)需求。考慮未來(lái)再建產(chǎn)能的時(shí)間周期，包括評(píng)估、資本募集、建廠、訂購(gòu)設(shè)備、產(chǎn)線(xiàn)爬坡等時(shí)間需求，更大產(chǎn)能需要在2030年后才能釋放。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制...

碳化硅芯片驗(yàn)證周期長(zhǎng)，批量生產(chǎn)難度大。碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國(guó)外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì)，并通過(guò)車(chē)企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國(guó)產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)...

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過(guò)調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線(xiàn)難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率低于10%，是我國(guó)碳化硅晶圓線(xiàn)建設(shè)的較大瓶頸。國(guó)際主流廠商包括美國(guó)亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購(gòu)?fù)呃锇玻毡緪?ài)發(fā)科及日清公司，國(guó)內(nèi)廠商主要有中國(guó)電科48所（爍科中科信），中車(chē)思銳（收購(gòu)IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上...

相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)頻率等方面具有較好的優(yōu)勢(shì)。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時(shí)仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò)1kHz時(shí)，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗相比可降低多達(dá)80%，整體功率損耗降低66%。導(dǎo)通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導(dǎo)通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數(shù)量和占位面積。SiC MOSFET的工作結(jié)溫和熱穩(wěn)定性更高，可達(dá)200℃或更高，適用于汽...

在電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優(yōu)勢(shì)，如功率轉(zhuǎn)換效率高、逆變器線(xiàn)圈和電容小型化、降低電機(jī)鐵損、束線(xiàn)輕量化和節(jié)省安裝空間等。雖然碳化硅器件價(jià)格較高，但其優(yōu)勢(shì)可降低整車(chē)系統(tǒng)成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車(chē)逆變器效率，越來(lái)越多的車(chē)廠如比亞迪、蔚來(lái)、小鵬、保時(shí)捷等正在轉(zhuǎn)向在電驅(qū)中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)、...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時(shí)間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間對(duì)陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際...