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先進陶瓷材料憑借其精細的結構組成以及**度、高硬度、耐高溫、抗腐蝕、耐磨等一系列***特性，在航空航天、電子、機械、生物醫學等眾多領域得到廣泛應用。陶瓷燒結技術的發展對先進陶瓷材料的進步起著直接影響，是陶瓷制品成品過程中至關重要的關鍵環節。生坯在經過初步干燥后，需進行燒結以提升坯體的強度、熱穩定性以及化學穩定性。在燒結過程中，陶瓷內部會發生一系列物理和化學變化，如體積減小、密度增加、強度和硬度提高、晶粒發生相變等，從而使陶瓷坯體達到所需的物理性能和力學性能。相同化學組成的陶瓷坯體，采用不同的燒結工藝將會產生顯微結構及性能差異極大的陶瓷材料。按研究對象劃分，燒結可分為固相燒結及液相燒結；按照工藝...

電子陶瓷是無源電子元器件的**材料，是電子信息技術的重要物質基礎。近年來，隨著電子信息技術的集成化、薄型化、智能化和小型化，基于半導體技術的有源器件和集成電路得到了迅速發展，而無源電子元件正日益成為電子元件技術發展的瓶頸。因此，電子陶瓷材料及其制備與加工技術日益成為制約電子信息技術發展的重要**。我國是一個無源電子元器件大國。從產品產量來看，無源元件的產量占全球產量的40%以上。然而，中國不是一個強大的國家。零部件產值不到全球產值的四分之一，**零部件嚴重依賴進口。電子陶瓷材料和技術是制約**元器件發展的重要因素之一。從戰略高度研究和判斷國內外電子陶瓷材料及元器件技術的發展現狀，分析我國相關領...

生物醫療領域，先進陶瓷的精確修復能力不斷突破。邁捷生命科學的羥基磷灰石骨修復材料，在脊柱融合實驗中骨結合率達92%，臨床隨訪顯示患者術后6個月骨密度恢復至健康水平的85%。3D打印多孔氮化硅植入體通過拓撲優化設計，孔隙率達60%且抗壓強度超200MPa，促進成骨細胞遷移與血管化。全球生物陶瓷市場規模預計2025年達85億美元，年復合增長率12%，人工關節、牙科種植體等細分領域成為增長引擎。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展參觀！碳陶剎車盤是新能源汽車的下一個風口!2025華南國際先進陶瓷展，就在9月10-12日，深圳福田會展中心！2025年9月10-12日上海市國際先進陶瓷粉末冶金展覽會新能...

先進陶瓷粉體作為先進陶瓷產業鏈的重要上游環節，其發展現狀和未來前景備受關注。目前，先進陶瓷粉體在技術創新方面取得了***進展。制備工藝不斷優化，使得粉體的純度、粒度分布和形貌控制等性能得到了極大提升。在應用領域，先進陶瓷粉體***用于電子、航空航天、醫療、能源、汽車、節能環保、**等高科技領域。例如，在電子領域，用于制造高性能的陶瓷電容器和陶瓷基板；在航空航天領域，用于制造耐高溫、**度的陶瓷部件。預計在未來幾年，隨著新興技術的不斷涌現和應用領域的進一步拓展，先進陶瓷粉體的市場將釋放更大的發展潛力和商業價值。國內外先進陶瓷粉體的生產企業的數量不斷增加，產能持續增長，企業在產品質量、技術水平、服...

陶瓷電容器占據了全球電容器市場的半壁江山，其中MLCC（片式多層陶瓷電容器）又占據陶瓷電容器市場的90%以上，是電子信息技術產業發展的基石。隨著應用端產品的**集成化，高電容、高可靠、低損耗的MLCC的需求將會持續上升并成為主流。近年來，全球MLCC市場規模穩中有升。如下圖所示，自2019年，全球MLCC市場規模約為915億元，至2022年增長到1204億元，預計此后，繼續保持上升趨勢。全球MLCC主要制造商主要集中在日本、韓國、中國臺灣、中國大陸，其中，日本地區企業的市場占有率高達56%，遙遙**，而中國大陸MLCC制造商約占全球7%的數額。我國MLCC市場穩步擴張，在2021年已占據全球總...

碳化硅芯片驗證周期長，批量生產難度大。碳化硅主驅芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現從設計到量產。國外廠商技術和產量的優勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅芯片供應端。國內企業尚處于可靠性驗證起始階段，未實現批量供應。國產主驅芯片需克服可靠性驗證和批量化生產兩大難關，確保大規模供應的同時保證產品品質穩定是行業性難題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設備適中，為目前主流技術。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業化應用。碳化硅外延設備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于202...

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉模塑封結構和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結構。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統硅基IGBT封裝結構，難以發揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰。“第十七屆中國?國際先進陶...

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規模體量，比如新能源車的產銷量、充電樁的配套數量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領域需平衡碳化硅器件高價格與性能優勢帶來的綜合成本，短期內將限制碳化硅器件在功率器件領域的滲透率，大規模應用仍存挑戰。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業研發、生產造成不利影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平...

先進陶瓷又稱高性能陶瓷、精細陶瓷、高技術陶瓷等，是指采用高純度、超細人工合成或精選的無機化合物為原料，具有優異的力學、聲、光、熱、電、生物等特性的陶瓷。先進陶瓷在原料、工藝方面有別于傳統陶瓷，特定的精細結構使其具有高、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、絕緣、超導、生物相容等一系列優點，被廣泛應用于國防、化工、冶金、電子、機械、航空、航天、生物醫學等領域，是近年來我國重點支持發展的產業之一。2025中國國際先進陶瓷展覽會（IACECHINA）將於3月10-12日在上海世博展覽館舉辦，歡迎大家蒞臨參會！ “中國?國際先進陶瓷展覽會”創新應用和解決方案：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您...

碳化硅主驅芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現從設計到量產。國外廠商技術和產量的優勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅芯片供應端。國內企業尚處于可靠性驗證起始階段，未實現批量供應。國產主驅芯片需克服可靠性驗證和批量化生產兩大難關，確保大規模供應的同時保證產品品質穩定是行業性難題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和20...

國內碳化硅襯底產品以4英寸和6英寸為主，少數企業實現8英寸量產，與國際廠商仍有一定差距。我國碳化硅產業起步較晚，國內廠商與國外企業在碳化硅襯底產品上存在差距。國內以4英寸和6英寸為主，而國際廠商如Wolfspeed、意法半導體在2023年已能夠大批量穩定供應8英寸襯底。國內碳化硅襯底企業天岳先進2024年5月披露，公司8英寸導電型襯底產品已經實現批量交貨，將推動頭部客戶向8英寸轉型，但8英寸產品品質和良率與國際廠商還有一定差距。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、202...

從國內看，碳化硅制造廠商包括長飛先進、芯聯集成、上海積塔、比亞迪、三安光電、士蘭微、泰科天潤等，其中長飛先進、芯聯集成、上海積塔已實現碳化硅MOSFET產品的大規模量產，其他企業尚不具備大規模量產能力。三家企業產能合計為25萬片/年，規劃產能為44.8萬片/年。國外he心技術封鎖為常態，國產替代需求迫切。和許多先進科技一樣，國內發展碳化硅產業也受到國外技術禁運的限制，尤其是寬禁帶半導體器件在jun事領域的應用，這進一步催生了國產替代的迫切需求。國內碳化硅產業在自主創新的推動下，正加速自主研發步伐，以bao障供應鏈的安全穩定。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海...

五展聯動；孕育無限發展商機；IACECHINA2025將與第17屆中國國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。20...

碳化硅產業各鏈條都在互相交融、跨界。系統級廠商方面，比亞迪從整車制造跨到碳化硅產業前端的襯底環節，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實現大規模商用及國產替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統硅基器件的差價正在縮小。SiCSBD產品價格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價格跌幅達30%-40%，有助于其提升市場滲透率。“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕！五展...

碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現了突出的性能優勢，具有極高的產業價值，被當下業內專jia稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國?家戰略性需求的重要行業。我們通過對碳化硅產業鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環節的價值分析，揭示碳化硅產業鏈的發展趨勢以及面臨的機遇與挑戰。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

碳化硅外延環節呈現美、日兩強局面，美國Wolfspeed和日本昭和電工雙寡頭壟斷，此外還有美國II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱電機、意法半導體（ST）、德國英飛凌（Infineon）等企業。國內東莞天域、瀚天天成為主要廠商，晶盛機電、北方華創、芯三代、中電48所、普興電子、三安光電、啟迪半導體、深圳納設智能等亦有布局，努力推進國產替代。預計2025年全球和國內6寸碳化硅外延設備新增市場空間分別約為130億元和53億元美元。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM C...

微波燒結是利用微波電磁場中材料的介質損耗使材料整體加熱至燒結溫度而實現燒結和致密化。微波燒結具有體加熱的特性，燒結過程中依靠材料本身吸收微波能，并轉化為材料內部分子的動能和勢能，降低燒結活化能，提高擴散系數，從而實現低溫快速燒結，可獲得納米晶粒的燒結體。微波燒結的優點為具有較短的燒結時間，使引起低頻介質損耗的缺陷濃度減小，從而使得介質損耗降低。相對于常規無壓燒結，微波燒結制備的BaTiO3陶瓷晶粒更小，具有相對多的晶界，晶界的介電常數較低。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！先進制造業新發展格局“第十七屆中國?國際先進陶瓷展...

碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現了突出的性能優勢，具有極高的產業價值，被當下業內專jia稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國?家戰略性需求的重要行業。我們通過對碳化硅產業鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環節的價值分析，揭示碳化硅產業鏈的發展趨勢以及面臨的機遇與挑戰。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優良的性能，應用于各個領域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉變產生體積變化，造成開裂。加入適量穩定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對增韌有貢獻的四方到單斜相的有效轉變。氧化釔穩定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時抗彎強度好；在2mol%時斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

碳化硅半導體屬于高度技術密集型行業，具有較高的技術、人才、資金、資源和認證壁壘，高度依賴于技術及生產經驗。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭相投資，碳化硅產業成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業競爭。同時，全球碳化硅半導體行業市場集中度較高，市場份額主要被美國、歐洲、日本等國?家和地區的企業占據，國內企業未來將面臨國際先進企業和國內新進入者的雙重競爭。若競爭過早進入白熱化，會對大批初創科技型碳化硅企業的成長造成致命打擊。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500...

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經過粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱。陶瓷的傳統概念是指所有以粘土等無機非金屬礦物為原料的人工工業產品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業同屬于“硅酸鹽工業”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機和金屬材料以外的其他所有材料，即無機非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學成分、礦物組成、物理性質，以及制 造方法，常常互相接近交錯，無明顯的界限，而在應用上卻有很大的區別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個系統，...

按化學成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、20...

刻蝕技術是SiC器件研制的關鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優點，而廣泛應用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側壁控zhi、蝕刻速率和側壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發。刻蝕環節主要挑戰包括實現更小尺寸器件結構、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉變等。主流的SiCICP刻蝕設備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發科，及我國北方華創、中國電科48所、...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優良的性能，應用于各個領域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉變產生體積變化，造成開裂。加入適量穩定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對增韌有貢獻的四方到單斜相的有效轉變。氧化釔穩定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時抗彎強度好；在2mol%時斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

從國內看，碳化硅制造廠商包括長飛先進、芯聯集成、上海積塔、比亞迪、三安光電、士蘭微、泰科天潤等，其中長飛先進、芯聯集成、上海積塔已實現碳化硅MOSFET產品的大規模量產，其他企業尚不具備大規模量產能力。三家企業產能合計為25萬片/年，規劃產能為44.8萬片/年。國外he心技術封鎖為常態，國產替代需求迫切。和許多先進科技一樣，國內發展碳化硅產業也受到國外技術禁運的限制，尤其是寬禁帶半導體器件在jun事領域的應用，這進一步催生了國產替代的迫切需求。國內碳化硅產業在自主創新的推動下，正加速自主研發步伐，以bao障供應鏈的安全穩定。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海...

傳統硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優先選擇。為實現離子注入區域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調節注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發科及日清公司，國內廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上...

“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕，高壓燒結有兩種方式，第一種為高壓成型常壓燒結，第二種為高壓氣氛燒結。1、高壓成型常壓燒結高壓成型常壓燒結中，樣品在高壓下再次加壓后，顆粒之間的接觸點增加且氣孔減少，導致燒結前坯體的相對密度明顯增加，而陶瓷燒結活性與樣品的壓坯密度緊密相關，所以燒結溫度明顯降低。高壓成型常壓燒結使燒結溫度降低了至少200℃（無壓燒結溫度一般高于1200℃）。2、高壓氣氛燒結高壓氣氛燒結中，高壓能夠明顯增加陶瓷致密的驅動力，并且由于成核勢壘的降低使成核速率增加，擴散能力的降低使生長速率減小。高壓氣氛燒結被認為是一種比較理想的得到致密細...

碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設備適中，為目前主流技術。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業化應用。碳化硅外延設備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于202...

外延生長技術是碳化硅器件的關鍵環節，外延質量對器件性能影響很大，碳化硅襯底無法直接制作器件，優質外延工藝可改進微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯、貫穿螺型位錯（TSD）、貫穿刃型位錯（TED）和基平面位錯（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長缺陷，同時精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對應不同耐壓等級的器件規格。通常，1μm的外延層對應100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時，外延層厚度需在100μm以上。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50...